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EDS1216AABH-75-E 参数 Datasheet PDF下载

EDS1216AABH-75-E图片预览
型号: EDS1216AABH-75-E
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内容描述: 128M位的SDRAM (8M字×16位) [128M bits SDRAM (8M words x 16 bits)]
分类和应用: 存储内存集成电路动态存储器时钟
文件页数/大小: 49 页 / 694 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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EDS1216AABH , EDS1216CABH
直流特性1 ( TA = 0〜 + 70 ° C, VDD和VDDQ = 3.3V ± 0.3V , VSS , VSSQ = 0V ) [ EDS1216AA ]
( TA = 0〜 + 70 ° C, VDD和VDDQ = 2.5V ± 0.2V , VSS , VSSQ = 0V ) [ EDS1216CA ]
EDS1216AA
参数
工作电流
在电源的待机电流
在电源的待机电流
向下(输入信号稳定)
在无电源的待机电流
在无电源的待机电流
向下(输入信号稳定)
在活动待机电流
掉电
在活动待机电流
断电(输入信号
稳定)
在非主动待机电流
掉电
在非主动待机电流
断电(输入信号
稳定)
突发工作电流
刷新当前
自刷新电流
符号
IDD1
IDD2P
IDD2PS
IDD2N
IDD2NS
IDD3P
IDD3PS
IDD3N
IDD3NS
IDD4
IDD5
IDD6
GRADE
马克斯。
100
3
2
20
9
4
3
40
25
120
220
1.5
EDS1216CA
马克斯。
100
3
2
20
9
4
3
40
25
120
220
1.5
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
测试条件
突发长度= 1
的tRC =的tRC (分钟)
CKE = VIL ,
TCK TCK = (分钟)
CKE = VIL , TCK =
CKE , / CS = VIH ,
TCK TCK = (分钟)
CKE = VIH , TCK =
∞,
/ CS = VIH
CKE = VIL ,
TCK TCK = (分钟)
CKE = VIL , TCK =
CKE , / CS = VIH ,
TCK TCK = (分钟)
CKE = VIH , TCK =
∞,
/ CS = VIH
TCK TCK = (分钟) ,
BL = 4
的tRC =的tRC (分钟)
VIH
VDD = 0.2V
VIL
0.2V
笔记
1, 2, 3
6
7
4
8
1, 2, 6
2, 7
1, 2, 4
2, 8
1, 2, 5
3
注:1.国际直拨依赖于输出负载条件下,当被选择的设备。国际直拨(最大)是在输出指定
开放的条件。
2.一家银行的操作。
3.输入信号的每一个时钟更换一次。
4.输入信号每两个时钟更换一次。
5.输入信号每四个时钟更换一次。
6.在掉电模式下, CLK工作电流。
7.在掉电模式下,没有CLK工作电流。
8.输入信号VIH或VIL固定。
数据表E0410E40 (版本4.0 )
5