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EDS1232AASE-75-E 参数 Datasheet PDF下载

EDS1232AASE-75-E图片预览
型号: EDS1232AASE-75-E
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内容描述: 128M位的SDRAM (4M字× 32位)的 [128M bits SDRAM (4M words x 32 bits)]
分类和应用: 存储内存集成电路动态存储器时钟
文件页数/大小: 53 页 / 575 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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EDS1232AASE
直流特性1 ( TA = 0〜 + 70 ° C, VDD和VDDQ = 3.3V ± 0.3V , VSS , VSSQ = 0V)
°
±
参数
/ CAS延时
工作电流
(CL = 2)的
(CL = 3)的
在断电的待机电流
在断电的待机电流
(输入信号稳定)
在无电源的待机电流
在无电源的待机电流
(输入信号稳定)
在电力有源待机电流
在电力有源待机电流
向下(输入信号稳定)
在非主动待机电流
掉电
在非主动待机电流
掉电
(输入信号稳定)
突发工作电流
刷新当前
自刷新电流
自刷新电流
(L-版本)
符号
IDD1
IDD1
IDD2P
IDD2PS
GRADE
-60
-75
-60
-75
马克斯。
120
105
120
105
1
1
单位
mA
mA
mA
mA
测试条件
突发长度= 1
TRC
的tRC (分钟)
IO = 0毫安
一个活跃的银行
CKE
VIL (最大) TCK = 15ns的
CKE
VIL (最大) TCK =
CKE
VIH(MIN 。 ) TCK = 15ns的
CS
VIH(MIN 。 )
输入信号被改变1
在30ns的时间
CKE
VIH(MIN 。 ) TCK =
CKE
VIL (最大) TCK = 15ns的
CKE
VIL (最大) , TCK =
CKE
VIH(MIN ) , TCK = 15纳秒,
/ CS
VIH(MIN 。 )
输入信号被改变1
在30ns的时间。
CKE
VIH(MIN ) , TCK =
∞,
TCK
TCK (分钟) ,
IO = 0毫安,所有银行都主动
TRC
的tRC (分钟)
VIH
VDD
0.2V,
VIL
GND + 0.2V
2
3
笔记
1
IDD2N
20
mA
IDD2NS
IDD3P
IDD3PS
8
5
4
mA
mA
mA
IDD3N
25
mA
IDD3NS
IDD4
IDD5
IDD6
IDD6
-xxL
-60
-75
-60
-75
15
200
180
240
210
2.0
0.6
mA
mA
mA
mA
mA
注:1。 IDD1取决于输出负载和循环率。指定的值与输出开路获得。在
除此之外, IDD1测量条件,即地址中TCK变为只有1时间(分) 。
2. IDD4取决于输出负载和循环率。指定的值与输出开路获得。
除了这一点, IDD4是测量条件,即地址TCK过程中改变仅一次
(分钟) 。
3. IDD5测定的条件下,地址是在TCK变为只有1时间(分) 。
直流特性2 ( TA = 0〜 + 70 ° C, VDD和VDDQ = 3.3V ± 0.3V , VSS , VSSQ = 0V)
°
±
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
符号
ILI
国际劳工组织
VOH
VOL
分钟。
–1.0
–1.5
2.4
马克斯。
1.0
1.5
0.4
单位
µA
µA
V
V
测试条件
0 = VIN = VDDQ , VDDQ = VDD ,
所有其它引脚不被测= 0V
0 = VIN = VDDQ DOUT被禁用
IOH = -2毫安
IOL = 2毫安
笔记
数据表E0350E20 (版本2.0 )
5