EDS1232AASE
引脚电容（ TA = 25°C ， F = 1MHz的）
参数
输入电容
符号
CI1
CI2
数据输入/输出电容
CI / O
引脚
地址
CLK ， CKE ， / CS ， / RAS ，
/ CAS ， / WE ， DQM
DQ
分钟。
1.5
1.5
3.0
典型值
—
—
—
马克斯。
3.0
3.0
5.5
单位
pF
pF
pF
笔记
AC特性（ TA = 0〜 + 70 ° C， VDD ， VDDQ = 3.3V ± 0.3V ， VSS ， VSSQ = 0V）
°
±
-60
参数
系统时钟周期
（CL = 2）的
（CL = 3）的
CLK高脉冲宽度
CLK低脉冲宽度
从CLK访问时间
数据输出保持时间
CLK到数据输出低阻抗
CLK到数据输出高阻抗
输入建立时间
输入保持时间
CKE建立时间（掉电出口）
ACT至REF / ACT命令期
（操作）
（刷新）
主动到预充电命令期
主动命令列命令
（同一银行）
预充电到激活命令时期
写恢复或数据输入到预充电
交货时间
最后一个数据为主动延迟
有源（一）活动（二）指令周期
模式寄存器设置循环时间
转换时间（上升和下降）
刷新周期
（ 4096刷新周期）
符号
TCK
TCK
总胆固醇
TCL
TAC
TOH
TLZ
太赫兹
TSI
THI
tCKSP
TRC
TRC
tRAS的
tRCD的
激进党
tDPL
tDAL
TRRD
TRSC
tT
TREF
分钟。
7.5
6
2.5
2.5
—
2
0
2
1.5
0.8
1.5
60
60
42
15
15
12
2CLK +
15ns
12
2
0.5
—
马克斯。
—
—
—
—
5.4
—
—
5.4
—
—
—
120000
30
64
-75
分钟。
10
7.5
2.5
2.5
—
2
0
2
1.5
0.8
1.5
67.5
67.5
45
20
20
15
2CLK +
20ns
15
2
0.5
—
马克斯。
—
—
—
—
5.4
—
—
5.4
—
—
—
120000
30
64
ns
CLK
ns
ms
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
笔记
数据表E0350E20 （版本2.0 ）
6
ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
