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EDX5116ADSE-3C-E 参数 Datasheet PDF下载

EDX5116ADSE-3C-E图片预览
型号: EDX5116ADSE-3C-E
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内容描述: 512M比特DRAM XDR⑩ [512M bits XDR™ DRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路动态存储器
文件页数/大小: 78 页 / 3518 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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EDX5116ADSE
内存操作
写事务
事务是一个或多个请求数据包(和相关的
数据包)需要执行一个存储器存取。状态
存储器内核和存储器存取的地址阻止 -
矿井有多少请求数据包都需要进行
访问。
第一个时序图显示了一个网页,打写事务。在
这种情况下,所选择的银行已经打开(行是已经
本的读出放大器阵列,用于该行中) 。此外,该
用于存储器访问选定行的地址匹配
行已经感觉到(页面命中) 。这种比较必须做
在存储器控制器。在本实施例中,接入是由
到银行排钡镭。
在这种情况下,写数据可被直接写入到感
放大器阵列为银行和行操作(启动或预
电荷)是不需要的。与WR命令将COL包
银行巴列器CA1呈现在边缘牛逼
0
和第二
与WR命令列钙银行巴是COL包
介绍了边缘牛逼
2
。两个写数据分组D( a1)和D( a2)的
后写数据延时T按照下列COL包
CWD
。该
2 COL包被列周期时间t分离
CC
.
这也是每一个写数据包的长度。
第二时序图显示的页面错过的一个例子
写交易。在这种情况下,所选择的银行已经打开
(行是已经存在的读出放大器阵列,用于在银行中) 。
然而,对于存储器访问所选择的行不
匹配已经感测到该行的地址(一个页失) 。这
比较,必须在存储控制器来完成。在这
例如,接入是由以行银行巴度Ra ,并且
银行包含一行比镭等​​。
在这种情况下,写数据可以不被直接写入到
感测放大器阵列银行。有必要关闭
当前行(预充电)和访问请求的行(爱科特
瓦泰岛) 。预充电命令( PRE银行BA)提出的
边牛逼
0
。激活命令( ACT来排银行的Ba Ra)为
介绍了边缘牛逼
6
时间t
RP
后来。与WR一处山坳包
命令行巴列器CA1呈现在边缘牛逼
7
a
时间T
RCD -W
后来。与WR命令的第二个COL包
银行列钙钡呈现边缘牛逼
9
。两个写
数据包D( A1 )和D ( A2 )后,请按照下列COL包
写数据延迟吨
CWD
。这两个COL包分离
由列周期的时间t
CC
。这也是每一个的长度
写数据包。
第三时序图显示的页面为空的例子
写交易。在这种情况下,选定的储库是已经
封闭(没有行存在的读出放大器阵列的银行) 。
没有行比较是必要的这种情况;然而,该
内存控制器仍然必须记住,行霸已
左封闭。在本实施例中,接入是由行到第Ra为
银行巴。
在这种情况下,写数据可以不被直接写入到
感测放大器阵列银行。这是必要的访问
请求的行(激活) 。激活命令( ACT来排
银行钡RA)是提出了关于边缘牛逼
0
。有一处山坳包
WR命令行巴列器CA1呈现在边缘
T
1
时间t
RCD -W
后来。与WR的COM第二COL包
普通话银行钡钙栏上呈现边缘牛逼
3
。两
写入的数据包D( A1 )和D ( A2 )请按照下列COL包
后的写入数据延迟吨
CWD
。这两个COL分组另行
评分列周期时间t
CC
。这也是长
每次写数据包。之后的最终写入命令时,它可能
需要关闭当前行(预充电) 。预充电
命令( PRE银行BA)提出边缘牛逼
13
一时间
t
WRP
后一个WR命令的最后一个COL包。该
决定是否关闭银行或离开它打开被制成
内存控制器和它的页面的政策。
第四时序图显示了一个页面级的另一示例
空写事务。这类似于前面的例子
所不同的是只有一个单一的写指令而提出,
两个多写命令。本实施例表明,即使在
最小长度写事务,经t
RAS
参数将
不是一个制约因素。经t
RAS
测量的最小时间
激活命令和预充电命令之间的一
银行。这个时间间隔也受制于总和吨
RCD-
W
+t
WRP
这将是一个写事务处理要大。这两个
约束条件(T
RAS
和T
RCD -W
+t
WRP
)将是一个函数
存储器器件的速度bin和数据传输长度(
激活之间发出的写入命令数目
预充电命令) ,并且吨
RAS
参数可以成为一个
约束为未来的高速箱写事务。在这
例如,该总和吨
RCD -W
+t
WRP
大于吨
RAS
AMOUNT
∆t
RAS
.
数据表E1033E40 (版本4.0 )
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