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EDX5116ADSE-3C-E 参数 Datasheet PDF下载

EDX5116ADSE-3C-E图片预览
型号: EDX5116ADSE-3C-E
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内容描述: 512M比特DRAM XDR⑩ [512M bits XDR™ DRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路动态存储器
文件页数/大小: 78 页 / 3518 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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EDX5116ADSE
图9
写事务
T
0
CFM
CFMN
RQ11..0
DQ15..0
DQN15..0
WR
a1
WR
a2
T
1
T
2
T
3
T
4
T
5
T
6
T
7
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8
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9
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T
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T
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t
周期
D(a1)
D(a2)
t
CC
t
CWD
页面命中写示例
T
0
CFM
CFMN
RQ11..0
DQ15..0
DQN15..0
PRE
a3
T
1
T
2
T
3
T
4
T
5
T
6
T
7
T
8
T
9
T
10
T
11
T
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T
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T
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T
15
T
16
T
17
T
18
T
19
T
20
T
21
T
22
T
23
ACT WR
a0
a1
WR
a2
t
周期
D(a1)
D(a2)
t
RP
t
RCD -W
t
CC
t
CWD
A0 = {钡,镭}
交易一: WR
A1 = { BA, Ca1的}
A2 = {钡,钙}
A3 = { }霸
页面错过写示例
T
0
CFM
CFMN
RQ11..0
T
1
T
2
T
3
T
4
T
5
T
6
T
7
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8
T
9
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T
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T
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T
19
T
20
T
21
T
22
T
23
ACT WR
a0
a1
WR
a2
t
CWD
t
WRP
D(a1)
D(a2)
t
DP
PRE
a3
t
周期
DQ15..0
t
RCD -W
DQN15..0
t
CC
t
CWD
交易一: WR
A0 = {钡,镭}
A1 = { BA, Ca1的}
A2 = {钡,钙}
A3 = { }霸
页空写示例
T
0
CFM
CFMN
RQ11..0
ACT WR
a0
a1
T
1
T
2
T
3
T
4
T
5
T
6
T
7
T
8
T
9
T
10
T
11
T
12
T
13
T
14
T
15
T
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T
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T
18
T
19
T
20
T
21
T
22
T
23
t
RAS
t
WRP
t
CWD
D(a1)
∆t
RAS
PRE
a3
t
RP
法案
b0
t
周期
DQ15..0
t
RCD -W
DQN15..0
BB =巴
交易一: WR
事务B : WR
A0 = {钡,镭}
B0 = { BB,铷}
A1 = { BA, Ca1的}
B1 = { BB, Cb1的}
A2 = {钡,钙}
B2 = {降B ,CB }
A3 = { }霸
b3 = {Bb}
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数据表E1033E40 (版本4.0 )
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