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HB56UW1673E-6F 参数 Datasheet PDF下载

HB56UW1673E-6F图片预览
型号: HB56UW1673E-6F
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内容描述: 缓冲128MB EDO DRAM DIMM 16 Mword × 72位, 4K刷新, 1银模块( 18颗16M × 4组件) [128MB Buffered EDO DRAM DIMM 16-Mword × 72-bit, 4k Refresh, 1 Bank Module (18 pcs of 16M × 4 components)]
分类和应用: 存储内存集成电路动态存储器
文件页数/大小: 27 页 / 205 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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HB56UW1673E-F
引脚说明
引脚名称
A0到A11 , B0
功能
地址输入
行地址
A0到A11 , B0
列地址A0到A11 , B0
刷新地址A0到A11 , B0
数据输入/输出
行地址选通(RAS)的
列地址选通(CAS )
读/写使能
OUTPUT ENABLE
设备检测
DQ0到DQ71
RE0 , RE2
CE0 , CE4
OE0 , OE2
WE0 , WE2
PD1到PD8
ID0 , ID1
PDE
V
CC
V
SS
NC
存在检测引脚分配
(由控制
PDE
针)
PDE
= LOW
引脚名称
PD1
PD2
PD3
PD4
PD5
PD6
PD7
PD8
PIN号
79
163
80
164
81
165
82
166
50纳秒
1
1
1
1
1
0
0
0
60纳秒
1
1
1
1
1
1
1
0
1:高电平(驱动器输出)
0 :低电平(驱动器输出)
EO
L
ID位
设备检测启用
电源
数据表E0101H10
4
od
Pr
无连接
所有
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
PDE
=高
uc
t