HM5117805TS-5 参数 Datasheet PDF下载

型号：	HM5117805TS-5
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内容描述：	16M的EDO DRAM （2- Mword ×8位）的2千刷新 [16 M EDO DRAM (2-Mword X 8-bit) 2 k Refresh]
分类和应用：	存储内存集成电路光电二极管动态存储器
文件页数/大小：	32 页 / 539 K
品牌：	ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]

HM5117805系列

DC特性

（大= 0至+ 70 ° C，V

= 5 V ± 10%, V

= 0 V)

HM5117805

-5

符号

CC1

CC2

-6

-7

测试条件

=分钟

TTL接口

RAS ， CAS

= V

DOUT =高阻

CMOS接口

RAS ， CAS

≥

– 0.2 V

DOUT =高阻

CMOS接口

RAS ， CAS

≥

– 0.2 V

DOUT =高阻

=分钟

RAS

= V

CAS

= V

DOUT =启用

=分钟

HPC

=分钟

CMOS接口

DOUT =高阻

CBR刷新：

= 62.5 µs

RAS

≤

0.3 µs

CMOS接口

RAS ， CAS

≤

0.2V

DOUT =高阻

0 V

≤

VIN

≤

7 V

0 V

≤

VOUT

≤

7 V

DOUT =禁用

高IOUT = -2毫安

低IOUT = 2毫安

参数

待机电流

（L-版本）

待机电流*

EDO页模式

目前*

输出高电压

输出低电压

最小值最大值最小值最大值最小值最大值单位

—

110 —

—

100 —

—

工作电流*

RAS-只

刷新电流*

CAS先于RAS

刷新

当前

备用电池电流*

（备CBR刷新）

（L-版本）

自刷新模式时的电流

（L-版本）

输入漏电流

输出漏电流

注：1。我

依赖于输出负载条件下，当被选择的设备。我

最大值是在输出指定

开放的条件。

2.地址可以一次或更少，而改变

RAS

= V

3.地址可以一次或更少，而改变

CAS

= V

CAS

= L （ ≤ 0.2 V ），而

RAS

= L （ ≤ 0.2 V ）。

—

CC2

—

CC3

CC5

—

CC6

CC7

CC10

—

CC11

—

2.4

—

150 —

150 µA

110 —

—

100 —

—

110 —

100 —

500 —

100 —

—

–10 10

数据表E0156H10

300 —

–10 10

2.4

0.4

500 —

500 µA

300 —

2.4

300 µA

–10 10

µA

0.4

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