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    HM5117805TS-5 参数 Datasheet PDF下载

    HM5117805TS-5图片预览
    型号： HM5117805TS-5
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 16M的EDO DRAM （2- Mword ×8位）的2千刷新 [16 M EDO DRAM (2-Mword X 8-bit) 2 k Refresh]
    分类和应用： 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
    文件页数/大小： 32 页 / 539 K
    品牌： ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
     浏览型号HM5117805TS-5的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HM5117805TS-5的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HM5117805TS-5的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HM5117805TS-5的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HM5117805TS-5的Datasheet PDF文件第8页浏览型号HM5117805TS-5的Datasheet PDF文件第9页浏览型号HM5117805TS-5的Datasheet PDF文件第10页浏览型号HM5117805TS-5的Datasheet PDF文件第11页  
    HM5117805系列
    EO
    参数
    电容
    （ TA = 25 ° C，V
    CC
    = 5 V ± 10%)
    符号
    C
    I1
    C
    I2
    C
    I / O
    典型值
    —
    —
    —
    最大
    5
    7
    7
    单位
    pF
    pF
    pF
    笔记
    1
    1
    1, 2
    输入电容（地址）
    输入电容（时钟）
    输出电容（输入数据，数据出）
    注意事项： 1，电容用Boonton的仪表或有效电容测量方法测量。
    2.
    CAS
    = V
    IH
    禁用Dout的。
    AC特性
    （大= 0至+ 70 ° C，V
    CC
    = 5 V ±10%, V
    SS
    = 0 V)
    *1, *2, *18
    测试条件
    •
    输入上升和下降时间： 2纳秒
    •
    输入电平： V
    IL
    = 0 V, V
    IH
    = 3 V
    •
    输入时序参考水平： 0.8 V， 2.4 V
    •
    输出时序参考水平： 0.8 V， 2.0 V
    •
    输出负载： 1 TTL门+ C
    L
    （ 100 pF）的（包括范围和夹具）
    LP
    数据表E0156H10
    7
    ro
    du
    ct

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