HM5118165系列
EO
20所有的V
CC
和V
SS
引脚应具有相同的电压供应。
21. t
ASC
, t
CAH
, t
RCS
, t
WCS
, t
WCH
, t
企业社会责任
和T
RPC
由较早的下降沿来确定
UCAS
or
LCAS 。
22. t
CRP
, t
CHR
, t
RCH
, t
注册会计师
和T
CPW
通过后来的上升沿来确定
UCAS
or
LCAS 。
23. t
CWL
, t
DH
, t
DS
和T
CSH
应由双方都能满意
UCAS
和
LCAS 。
24. t
CP
由时间决定的，这两个
UCAS
和
LCAS
高。
25. t
HPC
（分）可以在一系列EDO页模式写周期或EDO页模式的读来实现
周期。如果同时写入和读出操作被混合在一个EDO页模式
RAS
周期（ EDO页
模式混合周期（1）中，（2） ），最小的值
CAS
周期（T
CAS
+ t
CP
+ 2 t
T
）变成大于
特定网络编辑吨
HPC
（最小）值。的值
CAS
混合EDO页面模式的周期时间显示在EDO
页模式混合周期（ 1）和（ 2）。
26.当启用一次输出缓冲器，维持低阻抗状态，直到获得有效数据。
当输出缓冲器被打开和关闭非常短的时间内，一般会引起V大
CC
/V
SS
线路噪声，从而导致降低V
IH
最小/ V
IL
最高水平。
27.数据输出关断，并成为高阻抗从后面上升沿
RAS
和
CAS 。
HOLD
时间和关闭时间是由后来的上升沿时序规范规定
RAS
和
CAS
T之间
高级代表办事处
和T
OH
之间，并且吨
OFR
和T
关闭
.
28.请不要用吨
RASS
时间， 10微秒
≤
t
RASS
≤
100微秒。在此期间，该装置是在过渡
状态从正常操作模式到自刷新模式。如果T
RASS
≥
100微秒，然后
RAS
预充电时间
应该用吨
RPS
而不是吨
RP
.
29.如果你使用分布式CBR刷新模式15.6微秒的时间间隔在正常的读/写周期， CBR
刷新率应该在15.6微秒，从退出后立即进入前执行
自刷新模式。
30.如果你使用
RAS
只刷新或CBR突发刷新模式在正常的读/写周期， 1024次
分布式CBR刷新的时间间隔应在16毫秒后立即执行15.6微秒
从与进入自刷新模式之前退出。
无刷新所有内存31.重复自刷新模式是不允许的。一旦从你的自我退出
清新模式中，所有的存储单元需要再次重新进入自刷新模式之前被刷新。
32. XXX： H或L （H： V
IH
（分钟）
≤
V
IN
≤
V
IH
（最大） ，L： V
IL
（分钟）
≤
V
IN
≤
V
IL
（最大值） ）
/////// ：无效的Dout
当地址，时钟输入引脚时序波形没有说明，其引脚必须
应用V
IH
或V
IL
.
LP
数据表E0154H10
13
ro
du
ct
ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
