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HM5118165TT-7 参数 Datasheet PDF下载

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型号: HM5118165TT-7
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内容描述: 16M的EDO DRAM ( 1 - Mword ×16位), 1千刷新 [16 M EDO DRAM (1-Mword x 16-bit) 1 k Refresh]
分类和应用: 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
文件页数/大小: 32 页 / 578 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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HM5118165系列
自刷新模式
(L-版本)
HM5118165L
-5
符号
t
RASS
t
RPS
t
CHS
100
90
–50
最大
-6
100
110
–50
最大
-7
100
130
–50
最大
单位
µs
ns
ns
笔记
28, 29, 30,
31
EO
参数
12
RAS
脉冲宽度(自刷新)
RAS
预充电时间(自刷新)
CAS
保持时间(自刷新)
注:1. AC测量假设吨
T
= 2纳秒。
2.通电后接着是最小八个初始化是必需的200微秒的初始暂停
含循环周期(任意组合
RAS-只
刷新或
CAS先于RAS
刷新) 。
3.操作用t
RCD
(最大值)限制确保了吨
RAC
(最大值)可以得到满足,T
RCD
(最大)被指定为一个
参考点而已;如果T
RCD
t
拉德
(最大) +吨
AA
(最大值) - T的
CAC
(最大值) ,然后访问时间被控制
独家采用t
CAC
.
4.操作用t
拉德
(最大值)限制确保了吨
RAC
(最大值)可以得到满足,T
拉德
(最大)被指定为一个
参考点而已;如果T
拉德
大于指定吨
拉德
(最大值)限值,则访问时间
独家采用t控制
AA
.
5.无论吨
OED
或T
CDD
必须得到满足。
6.无论吨
DZO
或T
DZC
必须得到满足。
7. V
IH
(MIN)和V
IL
(最大值)是参考电平,用于测量输入信号的定时。此外,过渡
时代在V之间测量
IH
(MIN)和V
IL
(最大值)。
8.假设那件T
RCD
t
RCD
(最大值)和叔
拉德
t
拉德
(MAX)。如果T
RCD
或T
拉德
大于最大
在此表中,叔所示的推荐值
RAC
超出显示的值。
9.测量与负载电路相当于1个TTL负载和100pF的。
10.假设那件T
RCD
t
RCD
(最大值)和叔
RCD
+ t
CAC
(最大)
t
拉德
+ t
AA
(最大值)。
11.假设那件T
拉德
t
拉德
(最大值)和叔
RCD
+ t
CAC
(最大)
t
拉德
+ t
AA
(最大值)。
12.要么吨
RCH
或T
RRH
必须满足一个读周期。
13. t
关闭
(最大值)和叔
OEZ
(最大值)限定在其中的输出达到开路状态的时间和
未提及的输出电压电平。
14. t
WCS
, t
RWD
, t
CWD
, t
AWD
和T
CPW
不是限制性的操作参数。它们被包括在数据
片作为唯一的电气特性;如果T
WCS
t
WCS
(MIN),该循环是一个早期写入周期和
数据输出引脚将保持开路(高阻抗)在整个周期;如果T
RWD
t
RWD
(分钟) ,T
CWD
t
CWD
(分钟) ,和叔
AWD
t
AWD
(分钟) ,或叔
CWD
t
CWD
(分钟) ,T
AWD
t
AWD
(MIN)和叔
CPW
t
CPW
(分钟) ,则该循环是一个读 - 修改 - 写操作和数据输出将包含从所选择的读取数据
细胞;如果既不的条件在上述集被满足时,所述数据输出的条件(在接入
时间)是不确定的。
15.这些参数被称为
UCAS
LCAS
在早期的写周期和前沿
WE
前缘在延迟写入或读 - 修改 - 写周期。
16. t
RASP
德网络网元
RAS
脉冲宽度EDO页面模式的周期。
17.获取时间由从t最长的决定
AA
, t
CAC
和T
注册会计师
.
18.在延迟写入或读 - 修改 - 写周期,
OE
必须禁用输出缓存应用数据之前,
该设备。
19.当两个
UCAS
LCAS
去低与此同时,所有16位数据被写入到器件中。
UCAS
LCAS
不能在同一个写在交错/读周期。
LP
数据表E0154H10
ro
du
ct