HM5118165TT-7 参数 Datasheet PDF下载

型号：	HM5118165TT-7
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内容描述：	16M的EDO DRAM （ 1 - Mword ×16位）， 1千刷新 [16 M EDO DRAM (1-Mword x 16-bit) 1 k Refresh]
分类和应用：	存储内存集成电路光电二极管动态存储器
文件页数/大小：	32 页 / 578 K
品牌：	ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]

HM5118165系列

AC特性

（大= 0至+ 70 ° C，V

= 5 V ± 10%, V

= 0 V)*

18,

19,

测试条件

参数

RAS

预充电时间

CAS

预充电时间

RAS

脉冲宽度

CAS

脉冲宽度

RAS

保持时间

CAS

保持时间

根据DIN延迟时间

•

输入上升和下降时间： 2纳秒

•

输入电平：0V ， 3.0V，

•

输入时序参考水平： 0.8 V， 2.4 V

•

输出时序参考水平： 0.8 V， 2.0 V

•

输出负载： 1 TTL门+ C

（ 100 pF）的（包括范围和夹具）

读，写，读 - 修改 - 写和更新周期

（公用参数）

HM5118165

-5

民

最大

—

-6

民

104

最大

—

-7

民

124

最大

—

单位

笔记

随机读或写周期时间

行地址建立时间

行地址保持时间

列地址设置时间

列地址保持时间

RAS

CAS

延迟时间

RAS

到列地址的延迟时间

CAS

RAS

预充电时间

从锭延迟时间

CAS

从锭延迟时间

转换时间（上升和下降）

符号

RAS

CAS

ASR

RAH

ASC

CAH

RCD

拉德

RSH

CSH

CRP

OED

DZO

DZC

10000 60

10000 70

10000 13

—

10000 NS

—

数据表E0154H10

—

10000 10

—

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