HM5216165系列
列地址选通和写命令[ WRIT ] ：
此命令启动写操作。当
突发写入模式时，列地址（ AY0到AY7 ）和银行选择地址（ A11 ）成为
猝发写起始地址。当选择单次写入模式下，数据只写入到所指定的位置
由列地址（ AY0到AY7 ）和银行选择地址（ A11 ） 。
写带自动预充电[ WRIT A] ：
该命令会自动后进行预充电操作
同的1 ，2，4 ，或8的长度猝发写，或经过一个单一的写操作。当突发长度是整页
（ 256 ） ，这个命令是非法的。
行地址选通和银行激活[ ACTV ] ：
此命令激活被选中A11 ，银行
（BS）和确定的行地址（ AX0到AX10 ） 。当A11为低，银行0被激活。当A11是
高，银行1被激活。
预充电选择银行[二手] ：
此命令启动预充电操作由A11所选择的银行。如果
A11是低，银行选择0 。如果A11为高，银行1被选中。
预充电所有银行[ PALL ] ：
此命令启动一个预充电操作适用于所有银行。
刷新[ REF / SELF ] ：
此命令启动刷新操作。有两种类型的刷新操作，
一个是自动刷新，而另一个是自刷新。有关详细信息，请参阅CKE真值表部分。
模式寄存器集[黄] ：
同步DRAM有一个模式寄存器定义它如何运作。模式
寄存器由地址引脚（ A0至A11）在模式寄存器中设置的周期指定。有关详细信息，请参阅
模式寄存器的配置。接通电源后，模式寄存器的内容是不确定的，执行
模式寄存器设置命令来设置模式寄存器。
DQM真值表
EO
功能
高字节写使能/输出使能
低字节写使能/输出使能
高字节写禁止/输出禁止
低字节写禁止/输出禁止
注： H： V
IH
。 L： V
IL
.
×:
V
IH
或V
IL
.
I
国防部
是必要的。
该HM5216165系列可以通过DQMU和DQML的装置掩盖输入/输出数据。 DQMU口罩
高字节和DQML口罩的低字节。阅读过程中，输出缓冲器被设置为低-Z通过设置
DQMU / DQML为低，从而实现数据输出。另一方面，当DQMU / DQML设置为高，则
输出缓冲器为高阻，禁止数据输出。在写入过程中，数据被写入由设置
DQMU / DQML为低。当DQMU / DQML设置为高，以前的数据保持（新数据是不
写） 。期望中的数据可以突发读取或设置DQMU / DQML突发写入过程中被屏蔽。有关详细信息，
参考HM5216165操作说明的DQM控制部分。
L
Pr
符号
ENBU
ENBL
CKE
n-1
H
H
H
H
马斯库
MASKL
数据表E0167H10
7
od
n
×
×
×
×
L
×
×
DQMU
DQML
×
L
×
H
H
uc
t
ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
