HM5425161B ， HM5425801B ， HM5425401B系列
引脚功能（ 1 ）
CLK ，
CLK
（输入引脚） ：
在CLK和
CLK
是主时钟输入。除了DMS， DQSS所有输入
和的DQ被称为在CLK的上升沿和V的交叉点
REF
的水平。当进行读操作，
DQSS和DQS被称为CLK和的交叉点
CLK 。
当一个写操作中，模式草案和
的DQ都提到了DQS和V的交叉点
REF
的水平。 DQSS对于写操作被称为
CLK和的交叉点
CLK 。
CS
（输入引脚） ：
当
CS
为低时，命令和数据可被输入。当
CS
是高，所有的输入都是
忽略不计。然而，内部操作（存储体激活，突发操作等）被保持。
RAS ， CAS ，
和
WE
（输入引脚） ：
这些引脚限定了操作命令（读，写等）取决于
它们的电压电平的组合。见"Command operation" 。
A0至A12 （输入引脚） ：
行地址（ AX0到AX12 ）由A 0处交叉确定的A12级
点在CLK的上升沿和V的
REF
在银行主动指令周期的水平。列地址（ AY0到
AY8 ;在HM5425161B ， AY0到AY9 ;在HM5425801B ， AY0到AY9 ， AY11 ;该HM5425401B ）加载
经由A0到A9在CLK的上升沿和V的交叉点
REF
在一个读或写命令级别
周期。此列地址成为一个脉冲串操作的起始地址。
A10 （ AP） （输入引脚） ：
A10限定在预充电模式时的预充电命令，读命令或一个
写命令被发出。如果A10 =高发出预充电命令时，所有银行都预充电。如果
A10 =低发出预充电命令时，只有被选中BA1 / BA0 ，该行预充电。
如果A10 =高读或写命令时，自动预充电功能。而A10 =低，自动
预充电功能。
BA0 / BA1 （输入引脚） ：
BA0 / BA1是银行选择信号。所述存储器阵列被划分为存储体0 ，存储体1 ，
银行2如果BA1 =低和BA0 =低，银行选择0组3 。如果BA1 =高和BA0 =低，银行
1被选择。如果BA1 =低和BA0 =高，银行2中选择。如果BA1 =高和BA0 =高，银行3
选择。
CKE （输入引脚） ：
CKE控制关机和自刷新。掉电和自刷新
当CKE为低电平时命令进入和退出将恢复到高的时候。
该级别CKE必须保持1 CLK周期（ = T
CKEPW
）至少，也就是说，如果CKE改变在的交叉点
在CLK的上升沿和V
REF
适当的设置时间t的水平
IS
由下一CLK的上升沿CKE水平
必须保持适当的保持时间t
IH
.
数据表E0086H20
10
ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
