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HM5425161BTT-10 参数 Datasheet PDF下载

HM5425161BTT-10图片预览

型号：	HM5425161BTT-10
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	256M SSTL_2接口DDR SDRAM 143兆赫/ 133兆赫/ 125兆赫/ 100 MHz的4 Mword 】 16位】 4银行/ 8 - Mword 】 8位】 4银行/ 16 Mword 】 4位】 4-银行 [256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank]
分类和应用：	存储内存集成电路光电二极管动态存储器双倍数据速率时钟
文件页数/大小：	65 页 / 481 K
品牌：	ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]

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HM5425161B ， HM5425801B ， HM5425401B系列

指令操作

命令真值表

该HM5425161B的HM5425801B和HM5425401B识别由所指定的以下命令

CS ， RAS ， CAS，WE

和地址引脚。所有其他组合相比于下表是非法的。

CKE

命令

ignore命令

无操作

在读命令突发停止

列地址和读命令

阅读自动预充电

符号

DESL

NOP

BST

读

READA

n–1 n

H

H

H

H

H

H

H

H

H

H

H

H

H

H

H

H

H

H

H

H

H

H

H

H

H

L

H

H

CS

H

L

L

L

L

L

L

L

L

L

L

L

L

L

RAS CAS WE

BA1 BA0 AP

×

H

H

H

H

H

H

L

L

L

L

L

L

L

×

H

H

L

L

L

L

H

H

H

L

L

L

L

×

H

L

H

H

L

L

H

L

L

H

H

L

L

×

×

×

V

V

V

V

V

V

×

×

×

L

L

×

×

×

V

V

V

V

V

V

×

×

×

L

H

×

×

×

L

H

L

H

V

L

H

×

×

L

L

地址

×

×

×

V

V

V

V

V

×

×

×

×

V

V

列地址和写命令WRIT

写带自动预充电

行地址选通和银行主动

预充电选择银行

预充电所有银行

刷新

WRITA

ACTV

PRE

PALL

REF

自

模式寄存器设置

太太

EMRS

注意事项： 1， H： V

IH

。 L： V

IL

.

×:

V

IH

或V

IL

。 V ：有效地址输入

2. CKE水平必须保持在1 CLK周期（ = T

CKEPW

）至少。

ignore命令[ DESL ] ：

当

CS

高是在CLK上升沿和V的交叉点

REF

的水平，

每个输入被忽视和内部状态保持。

无操作[ NOP ] ：

只要这个命令被输入在CLK的上升沿和的交叉点

V

REF

电平，地址和数据的输入被忽视和内部状态被保持。

突发停在读取操作[ BST ] ：

此命令用于停止脉冲串读操作，这是不适用

突发写入操作。

列地址选通和读命令[阅读] ：

此命令启动一个读操作。开始

该HM5425161B ， AY0到AY9 ;读取由列地址（ AY0到AY8确定的脉冲串的地址;

在HM5425801B ， AY0到AY9 ， AY11 ;在HM5425401B ）和银行选择地址（ BA ）。后

在读操作完成后，将输出缓冲器变成高阻抗。

数据表E0086H20

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