数据表
MOS集成电路
MC-4R128FKE6D-840
直接Rambus DRAM RIMM
TM
模块
128M字节（ 64M -字×16位）
描述
直接的Rambus RIMM模块是一个通用的高性能内存模块子系统，适用于
在范围广泛的应用程序使用，包括计算机存储器，个人计算机，工作站和其他
应用中的高带宽和低延迟是必需的。
MC- 4R128FKE6D模块包括四个288M直接总线DRAM （直接RDRAM）设备（
µ
PD488588).
这些是非常受18位组织为16M字的高速CMOS的DRAM 。采用RAMBUS信号的
级（ RSL）技术允许同时使用传统的系统和600MHz的， 711MHz或800MHz的传输速率
电路板设计技术。
直接RDRAM设备能够持续数据传输，每两个字节（每个字节16 10纳秒）1.25纳秒。
直接RDRAM的架构可实现最高的持续带宽为多，同时，
随机寻址的存储器事务。独立的控制和数据总线具有独立的行和列
对照增产95％以上的公交车的效率。直接RDRAM的32银行支持多达四个同时交易
每个设备。
特点
•
184边缘连接器垫1mm厚的焊盘间距
•
128 MB直接RDRAM存储
•
每个RDRAM
有32个银行， 128银行总模块
•
镀金触点
•
RDRAMs采用芯片级封装（ CSP ）
•
串行存在检测支持
•
采用2.5 V电源供电
•
掉电自刷新模式
•
单独的行和列客车提高效率
•
在驱动因子（ ODF ）的支持
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证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的尔必达内存公司的检查
供应及其他信息。
一号文件E0261N10 （版本1.0 ）
发布日期2002年4月（K ）日本
网址： http://www.elpida.com
尔必达存储器股份有限公司。 2002年
尔必达内存公司是NEC公司与日立公司合资的DRAM公司
ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
