EM39LV010
1M位（ 128Kx8 ）快闪记忆体
规范
引脚说明
引脚名称
A0–A19
DQ7–DQ0
CE＃
OE ＃
WE＃
V
DD
V
SS
NC
17地址
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
2.7-3.6伏单电源供电
接地装置
引脚没有内部连接
功能
表1：
引脚说明
设备操作
该EM39LV010使用命令来启动存储器操作功能。该
命令WE＃置低，同时保持CE＃低写入设备。该
地址总线被锁定在WE＃或CE ＃下降沿，最后的为准。数据
公交车被锁在WE＃或CE ＃的上升沿，以先到为准。
读
该EM39LV010的读操作通过CE＃和OE ＃控制。两者必须是低
该系统以获得从所述输出数据。 CE＃用于器件选择。当CE＃
为高电平时，芯片被取消选中，仅待机电力消耗。 OE＃为输出
控制，并用于从所述门控输出引脚的数据。数据总线处于高阻抗状态
当CE＃或OE ＃为高电平。请参见读周期时序图如图1
进一步的细节。
字节编程
该EM39LV010被编程在逐字节的基础。在编程之前，扇区
其中字节所在;必须彻底清除。程序操作
完成三个步骤：
第一步是对软件数据保护三字节装入序列。
第二步骤是要加载的字节地址和字节的数据。
在字节编程
操作时，地址被锁存， CE＃或WE＃的下降沿，取其
去年发生;并且该数据被锁存， CE＃或WE ＃的上升沿，取
先发生。
第三步骤是被后的上升沿启动内部编程操作
第四WE＃或CE ＃ ，以先到为准。编程操作，一旦开始，
将在16 μs内完成。参见图2和图3为WE ＃和CE＃控制
编程操作时序图分别如图12的流程图。
本规范如有变更，恕不另行通知。 （ 2004年9月4日V1.0 ）
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EMC [ ELAN MICROELECTRONICS CORP ]
