EM39LV010
1M位（ 128Kx8 ）快闪记忆体
规范
扇区擦除
该EM39LV010提供扇区擦除模式。扇区擦除操作使系统
擦除设备上的一个扇区到扇区的基础。扇区结构是基于均匀
扇区大小的4K字节。通过执行一个6字节的启动扇区擦除操作
在最后扇区擦除命令（ 30H）和扇区地址（SA）的命令序列
总线周期。扇区地址被锁存第六WE＃脉冲的下降沿，而
命令（ 30H ）被锁定在6个WE＃脉冲的上升沿。内部擦除
第六WE ＃脉冲后开始工作。期终止擦除操作，可确定
通过使用数据＃查询或翻转位的方法。参见图7的时序波形。
扇区擦除操作期间发出的任何命令都会被忽略。
数据＃查询（ DQ7 ）
当EM39LV010在内部编程操作，任何尝试读取DQ7会
产生的真实数据的补码。一旦程序操作完成后， DQ7
将产生的真实数据。请注意，即使DQ7可能会立即有效数据
在完成内部程序运行之后，剩余的数据输出仍然可能
而无效（有效数据的全部数据总线上会出现后续读周期
1微秒的时间间隔后） 。在内部擦除操作，任何尝试读取DQ7的意志
产生一个'0'。一旦内部擦除操作完成后， DQ7将产生“1” 。该
数据＃查询后的第4个WE ＃ （或CE ＃ ）脉冲编程操作的上升沿有效。
对于扇区擦除或芯片擦除，数据＃查询后的第6个WE ＃上升沿有效
（或CE ＃）脉冲。参见图4数据＃查询时序图和图13的流程图。
翻转位（ DQ6 ）
在内部编程或擦除操作，任何尝试连续读取DQ6会
产生交变1和0 ，即1和0。当内部编程或间切换
擦除操作完成时， DQ6位将停止切换。该设备就准备好了
接下来的操作。切换位后的第4个WE ＃ （或CE ＃）脉冲的上升沿有效
程序操作。对于扇区擦除或芯片擦除，切换位后上涨有效
6个WE＃ （或CE ＃ ）脉冲的边缘。参见图5翻转位时序图和图13
为一个流程图。
数据保护
该EM39LV010同时提供硬件和软件功能来保护数据
无意写。
本规范如有变更，恕不另行通知。 （ 2004年9月4日V1.0 ）
第6
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EMC [ ELAN MICROELECTRONICS CORP ]
