EM39LV800
8M位（ 512Kx16 ）闪存
规范
设备操作
该EM39LV800使用命令来启动存储器操作功能。该
命令WE＃置低，同时保持CE＃低写入设备。该
地址总线被锁定在WE＃或CE ＃下降沿，最后的为准。数据
公交车被锁在WE＃或CE ＃的上升沿，以先到为准。
读
该EM39LV800的读操作通过CE＃和OE ＃控制。两者必须是低
该系统以获得从所述输出数据。 CE＃用于器件选择。当CE＃
为高电平时，芯片被取消选中，仅待机电力消耗。 OE＃为输出
控制，并用于从所述门控输出引脚的数据。数据总线处于高阻抗状态
当CE＃或OE ＃为高电平。请参见读周期时序图如图1
进一步的细节。
Word程序
该EM39LV800编程就一个字，用字的基础。在编程之前，扇区
这里所说的所在，必须彻底清除。程序操作
完成三个步骤：
第一步是对软件数据保护三字节装入序列。
第二步骤是要加载的字地址，字数据。在Word程序
操作时，地址被锁存， CE＃或WE＃的下降沿，取其
去年发生;并且该数据被锁存， CE＃或WE ＃的上升沿，取
先发生。
第三步骤是被后的上升沿启动内部编程操作
第四WE＃或CE ＃ ，以先到为准。编程操作，一旦开始，
将在20 μs内完成。参见图2和图3为WE ＃和CE＃控制
编程操作时序图分别如图15的流程图。
在编程操作期间，唯一有效的读操作是数据＃查询和翻转位。中
内部编程操作，主机可以自由地执行其他任务。任何命令
内部编程操作期间发出的被忽略。
本规范如有变更，恕不另行通知。 （ 2004年9月4日V1.0 ）
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EMC [ ELAN MICROELECTRONICS CORP ]
