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    EM621FV8AU-12LF 参数 Datasheet PDF下载

    EM621FV8AU-12LF图片预览
    型号： EM621FV8AU-12LF
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 256K ×8位低功耗和低电压全CMOS静态RAM [256K x8 bit Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 10 页 / 391 K
    品牌： EMLSI [ Emerging Memory & Logic Solutions Inc ]
     浏览型号EM621FV8AU-12LF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号EM621FV8AU-12LF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号EM621FV8AU-12LF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号EM621FV8AU-12LF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号EM621FV8AU-12LF的Datasheet PDF文件第7页浏览型号EM621FV8AU-12LF的Datasheet PDF文件第8页浏览型号EM621FV8AU-12LF的Datasheet PDF文件第9页浏览型号EM621FV8AU-12LF的Datasheet PDF文件第10页  
    EM620FU8B
    时序图
    低功耗， 256Kx8 SRAM
    读周期（ 1 ） （地址控制， CS1 = OE = V的时序波形
    IL
    ， CS2 = WE = V
    IH
    )
    t
    RC
    地址
    t
    AA
    t
    OH
    数据输出
    以前的数据有效
    数据有效
    读周期（ 2 ） （WE的时序波形= V
    IH
    )
    t
    RC
    地址
    t
    AA
    CS1
    t
    CO1,2
    t
    OH
    CS2
    t
    OE
    OE
    t
    OLZ
    数据有效
    t
    HZ1,2
    t
    OHZ
    数据输出
    高-Z
    t
    LZ1,2
    笔记
    （读周期）
    1. t
    HZ1,2
    和T
    OHZ
    被定义为输出达到开路条件和没有被引用到输出电压电平。
    2.在任何给定的温度和电压条件下，叔
    HZ1,2
    （最大）小于吨
    LZ1,2
    （分钟）都对于给定的设备和从设备到
    设备的互连。
    6

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