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    EM621FV8AU-12LF 参数 Datasheet PDF下载

    EM621FV8AU-12LF图片预览
    型号： EM621FV8AU-12LF
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 256K ×8位低功耗和低电压全CMOS静态RAM [256K x8 bit Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 10 页 / 391 K
    品牌： EMLSI [ Emerging Memory & Logic Solutions Inc ]
     浏览型号EM621FV8AU-12LF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号EM621FV8AU-12LF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号EM621FV8AU-12LF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号EM621FV8AU-12LF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号EM621FV8AU-12LF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号EM621FV8AU-12LF的Datasheet PDF文件第8页浏览型号EM621FV8AU-12LF的Datasheet PDF文件第9页浏览型号EM621FV8AU-12LF的Datasheet PDF文件第10页  
    EM620FU8B
    时序波形写周期（ 1 ） （我们控制）
    t
    WC
    地址
    t
    CW1,2
    (2)
    CS1
    t
    WR
    (4)
    低功耗， 256Kx8 SRAM
    CS2
    t
    AW
    t
    WP
    (1)
    WE
    t
    AS
    (3)
    DATA IN
    高-Z
    t
    WHZ
    数据输出
    数据中，未定义
    t
    DW
    数据有效
    t
    DH
    高-Z
    t
    OW
    写周期时序波形（ 2 ） （ CS1控制）
    t
    WC
    地址
    t
    AS
    (3)
    CS1
    t
    CW1,2
    (2)
    t
    WR
    (4)
    CS2
    t
    AW
    t
    WP
    (1)
    WE
    t
    DW
    DATA IN
    高-Z
    数据有效
    t
    DH
    数据输出
    高-Z
    7

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