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    EM621R16CW-85S 参数 Datasheet PDF下载

    EM621R16CW-85S图片预览
    型号： EM621R16CW-85S
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 64K X16位超低功耗和低电压全CMOS静态RAM [64K x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 11 页 / 188 K
    品牌： EMLSI [ Emerging Memory & Logic Solutions Inc ]
     浏览型号EM621R16CW-85S的Datasheet PDF文件第1页浏览型号EM621R16CW-85S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号EM621R16CW-85S的Datasheet PDF文件第3页浏览型号EM621R16CW-85S的Datasheet PDF文件第5页浏览型号EM621R16CW-85S的Datasheet PDF文件第6页浏览型号EM621R16CW-85S的Datasheet PDF文件第7页浏览型号EM621R16CW-85S的Datasheet PDF文件第8页浏览型号EM621R16CW-85S的Datasheet PDF文件第9页  
    融合存储&逻辑解决方案公司
    建议的直流工作条件
    1)
    参数
    电源电压
    地
    输入高电压
    输入低电压
    1.
    2.
    3.
    4.
    EM611FV16U系列
    低功耗， 64Kx16 SRAM
    符号
    V
    CC
    V
    SS
    V
    IH
    V
    IL
    民
    2.7
    0
    2.2
    -0.2
    3)
    典型值
    3.3
    0
    -
    -
    最大
    3.6
    0
    V
    CC
    + 0.2
    2)
    0.6
    单位
    V
    V
    V
    V
    TA = -40 〜85
    o
    C，另有规定
    过冲： V
    CC
    如果脉冲+ 2.0V宽<为20ns
    冲：如果脉冲-2.0 V宽度为20ns <
    过冲和下冲进行采样，而不是100 ％测试
    .
    电容
    1)
    （ F = 1MHz的，T
    A
    =25
    o
    C)
    项
    输入电容
    输入/输出继电器容量
    1.电容进行采样，而不是100 ％测试
    符号
    C
    IN
    C
    IO
    测试条件
    V
    IN
    =0V
    V
    IO
    =0V
    民
    -
    -
    最大
    8
    10
    单位
    pF
    pF
    DC和工作特性
    参数
    输入漏电流
    输出漏电流
    工作电源
    符号
    I
    LI
    I
    LO
    I
    CC
    I
    CC1
    平均工作电流
    I
    CC2
    输出低电压
    输出高电压
    待机电流（ TTL ）
    V
    OL
    V
    OH
    I
    SB
    V
    IN
    =V
    S S
    到V
    CC
    CS = V
    IH
    或OE = V
    IH
    或WE = V
    IL
    , V
    IO
    =V
    SS
    到V
    CC
    I
    IO
    = 0毫安， CS = V
    IL
    , V
    IN
    =V
    IH
    或V
    IL
    周期时间= 1μs的时间， 100 ％的关税，我
    IO
    =0mA,
    CS<0.2V ，V
    IN
    <0.2V或V
    IN
    ＆ GT ; V
    CC
    -0.2V
    周期时间=最小，我
    IO
    = 0毫安， 100 ％的关税，
    CS = V
    IL
    , V
    IN
    =V
    IL
    或V
    IH
    I
    OL
    = 2.1毫安
    I
    OH
    = -1.0mA
    CS = V
    IH
    ，其它输入= V
    IH
    或V
    IL
    CS>V
    CC
    -0.2V其他投入= 0 〜V
    CC
    待机电流（ CMOS ）
    I
    SB1
    （典型值条件：V
    CC
    =3.3V @ 25
    o
    C)
    （最大条件：V
    CC
    =3.6V @ 85
    o
    C)
    笔记
    LL
    LF
    -
    0.5
    1 )
    5
    µA
    55ns
    70ns
    测试条件
    民
    -1
    -1
    -
    -
    -
    -
    -
    2.4
    -
    典型值
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    最大
    1
    1
    3
    3
    26
    20
    0.4
    -
    0.3
    V
    V
    mA
    单位
    µA
    µA
    mA
    mA
    mA
    1.典型值是在Vcc = 3.3V ，T测
    A
    =
    25
    o
    C和不是100 ％测试。
    4

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