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    EM621R16CW-85S 参数 Datasheet PDF下载

    EM621R16CW-85S图片预览
    型号： EM621R16CW-85S
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 64K X16位超低功耗和低电压全CMOS静态RAM [64K x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 11 页 / 188 K
    品牌： EMLSI [ Emerging Memory & Logic Solutions Inc ]
     浏览型号EM621R16CW-85S的Datasheet PDF文件第3页浏览型号EM621R16CW-85S的Datasheet PDF文件第4页浏览型号EM621R16CW-85S的Datasheet PDF文件第5页浏览型号EM621R16CW-85S的Datasheet PDF文件第6页浏览型号EM621R16CW-85S的Datasheet PDF文件第7页浏览型号EM621R16CW-85S的Datasheet PDF文件第8页浏览型号EM621R16CW-85S的Datasheet PDF文件第10页浏览型号EM621R16CW-85S的Datasheet PDF文件第11页  
    融合存储&逻辑解决方案公司
    数据保持特性
    参数
    V
    CC
    数据保留
    数据保持电流
    芯片取消到数据保留时间
    手术恢复时间
    笔记
    EM611FV16U系列
    低功耗， 64Kx16 SRAM
    符号
    V
    DR
    I
    DR
    t
    SDR
    t
    RDR
    测试条件
    I
    SB1
    测试条件
    （芯片已禁用）
    1)
    民
    1.5
    -
    0
    典型值
    2)
    -
    0.25
    -
    -
    最大
    3.6
    -
    -
    单位
    V
    µA
    V
    CC
    = 1.5V ，我
    SB1
    测试条件
    （芯片已禁用）
    1)
    看到数据保存波形
    ns
    t
    RC
    -
    1.请参阅我
    S B 1
    数据表第4页的测量条件。
    2.Typical值在T测量
    A
    =
    25
    o
    C和不是100 ％测试。
    数据保存波形
    t
    SDR
    V
    cc
    2.7V
    数据保持方式
    t
    RDR
    2.2V
    V
    DR
    CS > VCC- 0.2V
    CS
    GND
    9

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