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EM621FV16CW55L 参数 Datasheet PDF下载

EM621FV16CW55L图片预览
型号: EM621FV16CW55L
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内容描述: 128K ×8位超低功耗和低电压全CMOS静态RAM [128K x8 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 11 页 / 70 K
品牌: EMLSI [ Emerging Memory & Logic Solutions Inc ]
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融合存储&逻辑解决方案公司
特点
工艺技术:采用0.18μm CMOS全
组织: 128K ×8位
电源电压: 2.7V 〜 3.6V
低数据保持电压: 1.5V (最小值)
三态输出与TTL兼容
封装类型: 36 FPBGA 6.0x7.0
EM610FV8系列
低功耗, 128Kx8 SRAM
概述
该EM610FV8家庭由EMLSI的制作
先进的全CMOS工艺技术。家庭
支持工业级温度范围及芯片级
包装系统设计的用户灵活性。该fami-
在于还支持低数据保持电压的电池
备份操作具有低的数据保持电流。
产品系列
功耗
产品
家庭
EM610FV8
操作
温度
工业级(-40 〜 85
o
C)
VCC
范围
速度
待机
(I
SB1
,典型值)
0.5
µA
2)
操作
(I
CC1
的.max )
3毫安
PKG
TYPE
36FPBGA
2.7V~3.6V
55
1)
/为70ns
1.参数的测量条件为30pF的测试负载。
2.典型值是在Vcc = 3.3V ,T测
A
=25
o
C和不是100 %测试。
引脚说明
1
A
B
C
D
E
F
G
H
2
3
4
5
6
功能框图
预充电电路
A
0
I / O
5
I / O
6
V
SS
V
C C
I / O
7
I / O
8
A
9
A
1
A
2
CS
2
WE
DNU
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
I / O
1
I / O
2
V
CC
V
SS
行拣选的人
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
数据
CONT
V
C
C
V
SS
存储阵列
1024 x 1024
I / O1 〜 I / O8
I / O电路
列选择
DNU DNU
OE
A
10
CS
1
A
11
A
16
A
12
A
15
A
13
I / O
3
I / O
4
A
14
A A A
12
A
1
A A A
10 11
3 14 15 16
36 FPBGA :俯视图(球下)
W
E
O
E
CS
1
控制逻辑
名字
CS
1
, CS
2
OE
A
0
~A
16
I / O
1
-I / O
8
功能
片选输入
输出使能输入
地址输入
数据输入/输出
名字
WE
VCC
VSS
DNU
功能
写使能输入
电源
不要使用
CS
2
2