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    EM621FV16CW55L 参数 Datasheet PDF下载

    EM621FV16CW55L图片预览
    型号： EM621FV16CW55L
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 128K ×8位超低功耗和低电压全CMOS静态RAM [128K x8 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 11 页 / 70 K
    品牌： EMLSI [ Emerging Memory & Logic Solutions Inc ]
     浏览型号EM621FV16CW55L的Datasheet PDF文件第3页浏览型号EM621FV16CW55L的Datasheet PDF文件第4页浏览型号EM621FV16CW55L的Datasheet PDF文件第5页浏览型号EM621FV16CW55L的Datasheet PDF文件第6页浏览型号EM621FV16CW55L的Datasheet PDF文件第7页浏览型号EM621FV16CW55L的Datasheet PDF文件第9页浏览型号EM621FV16CW55L的Datasheet PDF文件第10页浏览型号EM621FV16CW55L的Datasheet PDF文件第11页  
    融合存储&逻辑解决方案公司
    写周期时序波形（ 3 ） （ CS
    2
    控制）
    EM610FV8系列
    低功耗， 128Kx8 SRAM
    t
    WC
    地址
    t
    CW
    (2)
    CS1
    t
    AS
    (3)
    t
    W R
    (4)
    CS2
    t
    AW
    t
    W¯¯ P
    (1)
    WE
    t
    DW
    DATA IN
    数据输出
    高-Z
    数据有效
    t
    DH
    高-Z
    笔记
    （写周期）
    1.在重叠（ T A写操作
    WP
    ）低CS
    1
    ，高的CS
    2
    低WE 。写始于最新
    CS之间的过渡
    1
    变为低电平， CS
    2
    变高和WE为低电平。在最早转型写结束
    当CS
    1
    变为高电平， CS
    2
    去HAGH和WE变高。经t
    WP
    从写开始时所测
    到写的末尾。
    2. t
    CW
    是从CS测量
    1
    变低，结束写入。
    3. t
    A S
    从地址有效到写的开始测量的。
    4. t
    WR
    从端或写入地址变化进行测定。吨
    WR
    在适用的情况下写入结束的CS
    1
    或WE
    要高。
    8

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