EM620FV8B系列
低功耗， 256Kx8 SRAM
V
TM3)
R
12)
交流工作条件
测试条件（测试
加载和测试输入/输出参考）
输入脉冲电平： 0.4〜 2.2V
输入上升和下降时间： 5ns的
输入和输出参考电压： 1.5V
输出负载（见右图） ： CL
1)
= 100pF电容+ 1 TTL
CL
1)
= 30pF的+ 1 TTL （只为45nS部分）
1.包括范围和夹具电容
2. R
1
= 3070欧姆
,
R
2
= 3150欧姆
3. V
TM
=2.8V
CL
1)
R
22)
读周期
(V
cc
= 2.7V至3.6V ， GND = 0V ，T
A
= -40
o
C至+ 85
o
C)
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择输出
输出使能到输出有效
芯片选择低阻抗输出
输出使能为低阻抗输出
芯片禁用到高阻输出
输出禁止到高阻输出
从地址变更输出保持
符号
t
RC
t
AA
t
CO1,
t
CO2
t
OE
t
LZ1,
t
LZ2
t
OLZ
t
HZ1,
t
HZ2
t
OHZ
t
OH
45ns
民
45
-
-
-
10
5
0
0
10
最大
-
45
45
25
-
-
20
15
-
民
55
-
-
-
10
5
0
0
10
55ns
最大
-
55
55
25
-
-
20
20
-
民
70
-
-
-
10
5
0
0
10
70ns
最大
-
70
70
35
-
-
25
25
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
写周期
(V
cc
= 2.7V至3.6V ， GND = 0V ，T
A
= -40
o
C至+ 85
o
C)
参数
写周期时间
片选写的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
写信到输出高阻
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
结束写入到输出低Z
符号
t
WC
t
CW1,
t
CW2
t
AS
t
AW
t
WP
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
45ns
民
45
45
0
45
35
0
0
25
0
5
-
-
最大
-
-
-
-
-
-
15
55
45
0
45
40
0
0
25
0
5
55ns
民
最大
-
-
-
-
-
-
20
民
70
60
0
60
50
0
0
30
-
-
0
5
70ns
最大
-
-
-
-
-
-
20
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
-
-
ns
ns
6
EMLSI [ Emerging Memory & Logic Solutions Inc ]
