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    EM625FS8DT10S 参数 Datasheet PDF下载

    EM625FS8DT10S图片预览
    型号： EM625FS8DT10S
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 256K ×8位低功耗和低电压全CMOS静态RAM [256K x8 bit Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 11 页 / 427 K
    品牌： EMLSI [ Emerging Memory & Logic Solutions Inc ]
     浏览型号EM625FS8DT10S的Datasheet PDF文件第3页浏览型号EM625FS8DT10S的Datasheet PDF文件第4页浏览型号EM625FS8DT10S的Datasheet PDF文件第5页浏览型号EM625FS8DT10S的Datasheet PDF文件第6页浏览型号EM625FS8DT10S的Datasheet PDF文件第7页浏览型号EM625FS8DT10S的Datasheet PDF文件第8页浏览型号EM625FS8DT10S的Datasheet PDF文件第10页浏览型号EM625FS8DT10S的Datasheet PDF文件第11页  
    EM620FV8B系列
    低功耗， 256Kx8 SRAM
    写周期时序波形（ 3 ） （ CS2控制）
    t
    WC
    地址
    t
    CW
    (2)
    CS1
    t
    AS
    (3)
    CS2
    t
    AW
    t
    WP
    (1)
    WE
    t
    DW
    DATA IN
    数据输出
    高-Z
    数据有效
    t
    WR
    (4)
    t
    DH
    高-Z
    笔记
    （写周期）
    1.在重叠（ T A写操作
    WP
    ）低CS1 ，高CS2和低WE的。写始于最新
    间CS1过渡变为低电平，CS变为高电平和WE为低电平。在最早转型写结束
    当CS1变为高电平，CS变为高电平和WE为高电平。经t
    WP
    从写开始时所测
    到写的末尾。
    2. t
    CW
    从CS1测定变低写的末尾。
    3. t
    AS
    从地址有效到写的开始测量的。
    4. t
    WR
    从端或写入地址变化进行测定。吨
    WR
    在适用的情况下写入结束的CS1
    或者我们要高。
    9

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