EM641FT8
512K ×8位低功耗CMOS静态RAM
特点
- 超高速:为45nS
- 工艺技术: 0.15um CMOS全
- 组织: 512K X8
- 电源电压
= > EM641FT8V : 4.5V 〜 5.5V
- 低数据保持电压: 1.5V ( MIN )
- 三态输出与TTL兼容
- 产品包装设计的45 /55 / 70ns的
- KGD基于SOP封装结构
低功耗, 512Kx8 SRAM
一般物理规格
-
抛光裸硅的背面模具表面
-
典型的模具厚度= 725um +/- 15微米
-
典型的顶层金属化:
= >金属(钛/铝铜/锡/ ARC的SiON /二氧化硅) : 5.2K埃
-
顶面钝化:
= >钝化( HDP / pNIT / PIQ ) : 5.4K埃
-
典型的垫尺寸: 76.0um X 80.0um
-
晶圆直径: 8英寸
功能框图
预充电电路
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
V
CC
V
SS
行选择
存储阵列
512K ×8
I / O
0
- I / O
7
数据
CONT
I / O电路
列选择
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
WE
OE
CS
控制逻辑
名字
CS
OE
WE
A
0
~A
18
I / O
0
-I / O
7
功能
片选输入
输出使能输入
写使能输入
地址输入
数据输入/输出
名字
V
CC
V
SS
功能
电源
地
2