EM641FT8
建议的直流工作条件
1)
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
2)
V
SS
V
IH
V
IL
民
4.5
0
2.2
-0.5
4)
典型值
-
0
-
-
最大
5.5
0
V
CC
+ 0.5
3)
0.6
低功耗， 512Kx8 SRAM
单位
V
V
V
V
注意事项：
1， TA = -40 〜85
o
C，另有规定
2.过冲： VCC + 1.0V的情况下脉冲宽度为20ns <
3.冲： -1.0 V的情况下，脉冲宽度为20ns <的
4.过冲和下冲进行采样，而不是100 ％测试。
电容
（ F = 1MHz的，T
A
=25
o
C)
项
输入电容
输入/输出继电器容量
注意：
电容进行采样，而不是100 ％测试。
符号
C
IN
C
IO
测试条件
V
IN
=0V
V
IO
=0V
民
-
-
最大
8
10
单位
pF
pF
DC电气特性
(T
A
= -40
o
C至+ 85
o
C)
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电源
符号
I
LI
I
LO
I
CC
I
CC1
平均工作电流
V
IN
=V
SS
到V
CC
CS = V
IH
或OE = V
IH
或WE = V
IL
V
IO
=V
SS
到V
CC
I
IO
= 0毫安， CS = V
IL
, V
IN
=V
IH
或V
IL
周期时间= 1μs的时间， 100 ％的关税，我
IO
=0mA,
CS<0.2V ，V
IN
<0.2V或V
IN
＆ GT ; V
CC
-0.2V
周期时间=最小，我
IO
= 0毫安， 100 ％的关税，
CS = V
IL
, V
IN
=V
IL
或V
IH
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -1.0mA
CS = V
IH
，其它输入= V
IH
或V
IL
CS>V
CC
-0.2V
其他输入= 0 〜 Vcc的
（典型值条件：V
CC
=5V @ 25
o
C)
（最大条件：V
CC
=5.5V @ 85
o
C)
45ns
55ns
70ns
测试条件
民
-1
-1
-
-
-
-
-
-
2.4
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
1
1
5
7
65
55
45
0.4
-
1
单位
uA
uA
mA
mA
I
CC2
V
OL
V
OH
I
SB
mA
输出低电压
输出高电压
待机电流（ TTL ）
V
V
mA
待机电流（ CMOS ）
I
SB1
LF
-
1.5
1)
20
uA
注意事项：
1.Typical值是在Vcc = 5V ，T测
A
=25
o
C和不是100 ％测试。
4
EMLSI [ Emerging Memory & Logic Solutions Inc ]
