EM641FT8
交流工作条件
测试条件（测试
加载和测试输入/输出参考）
输入脉冲电平： 0V至V
CC
输入上升和下降时间： 1V / ns的
输入和输出参考电压： 0.5V
CC
输出负载（见右图） ： CL
1)
= 100pF电容+ 1 TTL （为70ns ）
CL
1)
= 30pF的+ 1 TTL （为45nS / 55ns ）
注意事项：
1.包括范围和夹具电容
2. R
1
= 1800欧姆，
R
2
= 990欧姆
3. V
TM
=
V
CC
4， CL = 5pF的+ 1 TTL （测量与TLZ ， TOLZ ，太赫兹， tOHZ ， tWHZ ）
低功耗， 512Kx8 SRAM
V
TM
3)
R
1
2)
产量
CL
1)
R
2
2)
读周期
(V
cc
= 4.5V至5.5V ， GND = 0V ，T
A
= -40
o
C至+ 85
o
C)
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择输出
输出使能到输出有效
芯片选择低阻抗输出
输出使能为低阻抗输出
芯片禁用到高阻输出
输出禁止到高阻输出
从地址变更输出保持
符号
t
RC
t
AA
t
CO
t
OE
t
LZ
t
OLZ
t
HZ
t
OHZ
t
OH
45ns
民
45
-
-
-
10
5
0
0
10
最大
-
45
45
25
-
-
20
15
-
民
55
-
-
-
10
5
0
0
10
55ns
最大
-
55
55
30
-
-
20
20
-
民
70
-
-
-
10
5
0
0
10
70ns
最大
-
70
70
35
-
-
25
25
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
写周期
(V
cc
= 4.5V至5.5V ， GND = 0V ，T
A
= -40
o
C至+ 85
o
C)
参数
写周期时间
片选写的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
写信到输出高阻
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
写入到输出低-Z结束
符号
t
WC
t
CW
t
AS
t
AW
t
WP
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
45ns
民
45
45
0
45
35
0
0
25
0
5
-
-
最大
-
-
-
-
-
-
15
民
55
45
0
45
40
0
0
25
0
5
55ns
最大
-
-
-
-
-
-
20
民
70
60
0
60
50
0
0
30
-
-
0
5
70ns
最大
-
-
-
-
-
-
20
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
-
-
ns
ns
5
EMLSI [ Emerging Memory & Logic Solutions Inc ]
