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    EM621FU8BT-45LL 参数 Datasheet PDF下载

    EM621FU8BT-45LL图片预览
    型号： EM621FU8BT-45LL
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 512K ×8位低功耗全CMOS静态RAM [512K x8 bit Low Power Full CMOS Static RAM]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 10 页 / 387 K
    品牌： EMLSI [ Emerging Memory & Logic Solutions Inc ]
     浏览型号EM621FU8BT-45LL的Datasheet PDF文件第2页浏览型号EM621FU8BT-45LL的Datasheet PDF文件第3页浏览型号EM621FU8BT-45LL的Datasheet PDF文件第4页浏览型号EM621FU8BT-45LL的Datasheet PDF文件第5页浏览型号EM621FU8BT-45LL的Datasheet PDF文件第6页浏览型号EM621FU8BT-45LL的Datasheet PDF文件第7页浏览型号EM621FU8BT-45LL的Datasheet PDF文件第8页浏览型号EM621FU8BT-45LL的Datasheet PDF文件第10页  
    EM641FT8
    数据保持特性
    参数
    V
    CC
    数据保留
    数据保持电流
    芯片取消到数据保留时间
    手术恢复时间
     
     
     
     
    低功耗， 512Kx8 SRAM
    符号
    V
    DR
    I
    DR
    t
    SDR
    t
    RDR
    测试条件
    I
    SB1
    测试条件
    （芯片已禁用）
    1)
    I
    SB1
    测试条件
    （芯片已禁用）
    1)
    看到数据保存波形
    民
    1.5
    -
    0
    t
    RC
    典型值
    2)
    -
    1
    -
    -
    最大
    -
    7
    -
    -
    单位
    V
    µA
    ns
    笔记
    1.请参阅数据表第4页的ISB1测量条件。
    被测量TA 2.典型值= 25
    o
    C和不是100 ％测试。
    数据保存波形
    t
    SDR
    V
    cc
    5V
    数据保持方式
    t
    RDR
    2.2V
    ¡
    V
    DR
    CS
    GND
    V
    DR
    1.5V
    CS > VCC- 0.2V
    9

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