R
EM4100
电气特性
V
DD
= 1.5V, V
SS
= 0V ，女
C1
= 134kHz方波，T
a
= 25°C
V
C1
= 1.0V用在V正峰
DD
而在V负峰值
DD
-1V除非另有规定
参数
电源电压
整流电源电压
Coil1 - Coil2电容
电源电容器
双相&曼彻斯特
版本
电源电流
C2垫调制器开
电压降
C1垫调制器开
电压降
PSK版本
电源电流PSK
C2垫调制器开
电压降
注1 ）
注2 ）
符号测试条件
V
DD
V
DDREC
C
水库
C
SUP
I
DD
V
ONC2
V
ONC1
I
DDPSK
V
ONC2PSK
V
DD
=1.5V
I
VDDC2
= 100μA与参考。到V
DD
V
DD
=1.5V
V
DD
=5.0V
V
DD
=5.0V
I
VDDC2
= 100μA与参考。到V
DD
I
VDDC2
= 1毫安与参考。到V
DD
I
VDDC1
=1mA
与参考。到V
DD
V
COIL1
- V
COIL2
= 2.8 VDC
调制器开关= “ON”时
V
COIL
= 100mVRMS F = 10kHz的
分钟。
1.5
1.5
典型值。
马克斯。
1)
单位
V
V
74
2)
120
0.63
0.9
2.1
2.1
1.1
2.3
2.3
1.5
1.3
2.8
2.8
pF
pF
µA
V
V
V
0.92
0.3
0.6
2
0.9
µA
V
的最大电压被强迫10毫安上COIL1定义 - COIL2
谐振电容的容差是在整个生产±15％。
根据要求选配耐受性降低
在晶片的基础上，容差为± 2％的
时序特性
V
DD
= 1.5V, V
SS
= 0V ，女
COIL
= 134kHz方波，T
a
= 25°C
V
C1
= 1.0V用在V正峰
DD
而在V负峰值
DD
-1V除非另有规定
定时被来自于场频和被指定为数字射频周期。
参数
阅读位周期
符号
T
RDB
测试条件
根据选项
价值
64, 32, 16
单位
RF期
时序波形
T
OC
COIL1
64 ， 32或16吨
OC
根据选项
串行数据输出
n位
位n + 1
位n + 2
图。 4
©2004 ， EM微电子，马林SA
3
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EMMICRO [ EM MICROELECTRONIC - MARIN SA ]
