欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

EM4150A5WT11E 参数 Datasheet PDF下载

EM4150A5WT11E图片预览
型号: EM4150A5WT11E
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 1千位读/写非接触式识别装置 [1 KBit READ / WRITE CONTACTLESS IDENTIFICATION DEVICE]
分类和应用: 装置
文件页数/大小: 14 页 / 551 K
品牌: EMMICRO [ EM MICROELECTRONIC - MARIN SA ]
 浏览型号EM4150A5WT11E的Datasheet PDF文件第5页浏览型号EM4150A5WT11E的Datasheet PDF文件第6页浏览型号EM4150A5WT11E的Datasheet PDF文件第7页浏览型号EM4150A5WT11E的Datasheet PDF文件第8页浏览型号EM4150A5WT11E的Datasheet PDF文件第10页浏览型号EM4150A5WT11E的Datasheet PDF文件第11页浏览型号EM4150A5WT11E的Datasheet PDF文件第12页浏览型号EM4150A5WT11E的Datasheet PDF文件第13页  
R
EM4150
EM4350
AC / DC转换器和电压限幅器
上电复位( POR )
当其连接线圈EM4150进入一个
电磁场,内置于AC / DC变换器将
供应芯片。的直流电压进行监视和
复位信号产生初始化的逻辑。该
控制字和字保护的内容将是
下载到使能的功能( INIT) 。电源
上电复位,还提供以确保该
芯片将开始发放正确的数据。提供迟滞
可避免不当操作的极限水平。
VDD
交流/直流转换器完全集成在芯片上和意愿
提取案发现场的射频功率。内部
直流电压将被钳位,以避免高内部直流
电压在强射频场。
谐振电容器
谐振电容集成,它的宽容
被调整为± 2% ,在整个生产。
典型的电容变化
与温度的关系
V
公屋
V
prhys
铬公差[ % ]
100.3
100.2
t
RESET
100.1
t
INIT
EM4150活动
100.0
99.9
99.8
t
99.7
-50
-30
-10
10
30
50
70
90
图。 18
温度[° C]
图。 19
全部锁定/锁定内存区域
的EM4150可以转换为一个只读芯片或者是
配置由读/写和只读区
编程的保护字。这种构造可以
被锁定的写入禁止写保护字。
大,应注意在做这个操作
没有进一步的可能性来改变写入
保护字。控制字也可以
以同样的方式从而冻结操作保护
模式。
特殊计时
该处理中的暂停时间(TPP) ,写访问时间
( TWA )和EEPROM的写入时间(彧)的时序
其中EM4150正在执行内部操作。
在这些停顿时,RF场将被影响。
RF时期: 32 32 ( Opt64 )
16 16 ( Opt32 )
64
32
(Opt64)
(Opt32)
3200
2624
(Opt64)
(Opt32)
时钟提取
时钟提取器将产生一个系统时钟
频率对应于所述RF场的频率。
系统时钟用于定序,以产生所有
内部时序。
t
pp
相同的调制
作为一个正常的位
期间特瓦和TWEE ,线圈上的信号是
阻尼由于较高的电流消耗。
t
wa
t
凌晨
图。 20
数据提取
所产生的收发字段将振幅
调制以传输数据至EM4150 。数据
提取器解调所述输入信号,以产生
逻辑电平,并且输入的数据进行解码。
调制器
数据调制器由串行数据输出驱动
从哪个是曼彻斯特编码的内存。该
调制器将绘制一个较大的电流从两个线圈
终端,从而振幅调制的RF场
根据该存储器的数据。
版权
©
2004年, EM微电子,马林SA
9
www.emmicroelectronic.com