R
EM4150
EM4350
写密码
当接收到写入密码指令，芯片下一个期望的实际有效的密码信息。该芯片
回送一个ACK模式，如果密码正确。然后在芯片预计新密码组成的32位+
奇偶校验位被存储在EEPROM中。该芯片将用一个ACK响应的模式为在正确接收数据
接收新密码，然后将发送一个应答模式（ ACK）公布的数据存储
在EEPROM中。
该读写后函数具有此命令没有影响。如果输入的密码是错误的或
传输出现故障时，芯片将：发送NAK模式;返回到标准读模式;并且，该密码将保持
相同。 （请参阅写字密码数据结构） 。
t
pp
t
wa
t
凌晨
产量
字N
LIW
确认
LIW
确认
确认
LIW
LIW
FWR
输入
RM
写PW
实际PW
RM
新PW
收发器射频场"ON"
图。 15
写字
写模式允许EEPROM内容文字进行修改，词。要修改地址1 （保护字）和
地址2 （控制字） ，它是强制性的，以第一次以登录（如在一台计算机）发送登录命令。新
只有在执行复位命令后写入的值才会生效。我们强烈建议检查的结果
修改这些地址实现芯片的功能的内容。地址0 （密码）不能与改性
这个命令，但是可以通过写密码命令进行修改。
地址3至31根据所定义的保护是可编程的。控制的，如果密码校验位关闭（ 16位
字）与字不会写抑制，所选择的字可以随意修改，没有密码。如果密码检查
位在与所述字不禁止写入，所选择的字可以与先前登录进行修改。在任何情况下，如果
字写的抑制，保护字，必须改变之前的编程可能发生。
写地址
0
1–2
1–2
3 – 31
3 – 31
3 – 31
确认密码位
（ 16位/控制字）
X
X
X
关闭
ON
X
写禁止
（保护字）
X
关闭
ON
关闭
关闭
ON
写操作
只有在写入密码命令
登录总是需要
写配置LOCKED
可自由编程
需要登录
首先改变的保护字
地址
0 0 A5 A4 A3 A2 A1 A0
PADD
收到的第一位
数据
D31 D30 D29 D28 D27 D26 D25 D24 D23 P3 D22 D21 D20 D19 D18 D17 D16 D15 P2 D14
D13 D12 D02 .......................... D01 D00 P0 PC7 PC6 PC5 PC4 PC3 PC2 PC1 PC0 "0"
注意：
A5在写入模式始终"0"
（地址激光ROM ）
图。 16
写入字命令后面的地址和数据。该地址由包含8个数据位的9位块
和1个偶校验位。从数据段仅6位用于字寻址，和前三个比特发送绝
是"0".的数据由4次9位的块，每个块由8个数据位和1相关的偶校验位和
一个附加块由8列校验位和"0"作为停止位（参见图7）
版权
©
2004年， EM微电子，马林SA
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EMMICRO [ EM MICROELECTRONIC - MARIN SA ]
