EN25F20
制造商/
器件ID
阅读鉴定
进入OTP模式
90h
9Fh
3Ah
DUMMY
(M7-M0)
DUMMY
(ID15-ID8)
00h
01h
(ID7-ID0)
(M7-M0)
(ID7-ID0)
(5)
(ID7-ID0)
(M7-M0)
(4)
注意事项：
1.数据的字节偏移与最高有效位。带括号的数据字节的字段“（）”表示的数据被从读
设备上的DO引脚。
2.状态寄存器的内容将不断重复，直到CS ＃终止指令。
3.设备ID将不断重复，直到CS ＃终止指令。
4.制造商ID和设备ID字节将不断重复，直到CS ＃终止指令。
00H的字节4开始与MID和相间DID ， 01H的字节4开始与DID和相间MID 。
5. （ M7 - M0 ） ：制造商， （ ID15 - ID8 ） ：内存类型， （ ID7 - ID0 ） ：内存容量。
表5.制造商和设备标识
操作码
ABH
90h
9Fh
1Ch
1Ch
3112h
(M7-M0)
(ID15-ID0)
(ID7-ID0)
11h
11h
写使能（ WREN ） （ 06H ）
写使能（ WREN）指令（图5 ）设置写使能锁存器（ WEL ）位。写
使能锁存器（ WEL）位之前，必须设置到每一个页编程（ PP ） ，扇区擦除（ SE ） ，块擦除
（ BE ） ，芯片擦除（ CE ）和写状态寄存器（ WRSR ）指令。
写使能（ WREN）指令，通过驱动芯片选择（ CS ＃ ）低，送进入
指令代码，然后驱动芯片选择（ CS ＃ ）高。
图5.写使能指令序列图
写禁止（ WRDI ） （ 04H ）
写禁止指令（图6）复位写使能状态寄存器锁存器（ WEL）位
到0或退出OTP模式到正常模式。写禁止指令是由驱动芯片进入
选择（ CS ＃ ）低，转移指令代码“ 04H ”到DI引脚，然后驱动芯片选择（ CS ＃ ）
高。请注意， WEL位后，上电和写入完成后自动复位
状态寄存器，页编程，扇区擦除，块擦除（ BE ）和芯片擦除指令。
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
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©2004宙硅解决方案公司，
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修订版E，发行日期： 2008/12/15
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