EN25F20
操作特性
SPI模式
该EN25F20通过一个SPI兼容总线组成的四个信号访问：串行时钟（ CLK ） ，
片选信号（ CS ＃ ） ，串行数据输入（ DI ）和串行数据输出（ DO ） 。两个SPI总线操作模式0
（0,0）和3 （1,1）被支持。模式0和模式3之间的主要区别，如图
图3 ，关注CLK信号的正常状态时， SPI总线主机在待机和数据
没有被传输到串行闪存。为模式0 CLK信号通常是低的。模式3的
CLK信号是常高。在这两种情况下，数据输入的DI引脚被采样的上升沿
CLK 。在DO引脚的数据输出同步输出CLK的下降沿。
图3. SPI模式
网页编程
以编程一个数据字节时，两条指令必须：写使能（WREN ），这是一个字节，并且
一个页编程（PP）的序列，它由4个字节加上数据。这之后是在内部
项目周期（时间TPP的） 。
传播这个开销，页编程（PP）的指令允许多达256个字节进行编程
在时刻（比特变化从1到0 ） ，只要它们存在于连续的地址在同一页上
的存储器。
扇区擦除，块擦除和芯片擦除
在页编程（PP）的指令允许位被从1重置为0。在此之前可以应用，则
内存字节需要被擦除为全1 （ FFH ） 。这可以在同一时间内达到一个扇区
使用扇区擦除（ SE ）指令，在一个时间块用块擦除（ BE ）指令或
在整个内存，使用芯片擦除（ CE ）指令。这将启动一个内部擦除周期
（持续时间TSE TBE或TCE） 。 ERASE指令前必须有一个写使能（ WREN ）
指令。
投票在写，编程或擦除周期
在写状态寄存器（ WRSR ） ，计划（ PP）或擦除时间的进一步改进（ SE ， BE或
CE）可以通过不等待最坏情况下的延迟（ TW ， TPP ， TSE ， TBE或TCE）来实现。写在
制品（WIP ）位设置在状态寄存器，以使应用程序可以监视其
值，轮询它建立在以前的写周期，项目周期或擦除周期完成。
有源电力，待机功耗和深度掉电模式
当片选（ CS ＃ ）为低电平时，器件处于启用状态，在有源模式。当片
选（CS ＃ ）为高电平时，设备被禁用，但可以留在有源模式下，直到所有的内部
周期已经完成了（编程，擦除，写状态寄存器） 。然后将设备进入待机
电源模式。该器件功耗降至ICC1 。
深度掉电模式时输入特定的指令（在进入深度掉电
模式（DP）的指令）被执行。该器件消耗进一步下降到ICC2 。该器件遗体
在这种模式下，直到从深度掉电模式和读取另一个特定的指令（发行
装置ID（ RDI）指令）被执行。
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
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修订版E，发行日期： 2008/12/15
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