EN25F20
EN25F20
2兆位串行闪存与4KB的扇区制服
特点
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单电源工作
- 全电压范围： 2.7-3.6伏
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串行接口架构
- SPI兼容：模式0和模式3
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2兆位串行闪存
- 2 M比特/ 256千字节/ 1024页
- 每个可编程页的256字节
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高性能
- 100MHz的时钟速率
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低功耗
- 19 mA典型工作电流
- 1
µA
典型的掉电电流
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统一的部门架构：
4 KB的64个扇区
64字节的4块
任何部门或块可以
独立擦除
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软件和硬件写保护：
- 通过写保护全部或部分内存
软件
- 启用/禁用保护与WP ＃引脚
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高性能的编程/擦除速度
页编程时间： 1.5ms的典型
扇区擦除时间： 150ms的典型
块擦除时间800毫秒典型
芯片擦除时间：3秒典型
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可锁定256字节的OTP安全部门
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最低100K耐力周期
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封装选项
- 8引脚SOP 150mil体宽
- 8接触VDFN
- 所有无铅封装符合RoHS标准
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商用和工业温度
范围
概述
该EN25F20是2M位（ 256K字节）串行闪存，具有先进的写保护机制，
通过高速SPI兼容总线访问。该存储器可以被编程为1〜 256个字节在一个
时间，使用页面编程指令。
该EN25F20被设计成允许或者单
扇区/块
在同一时间或整片擦除操作。该
EN25F20可以被配置为保护存储器的软件保护模式的一部分。该装置
能维持最低的100K编程/擦除的每一个扇区周期
或阻止。
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
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©2004宙硅解决方案公司，
www.eonssi.com
牧师楼发表日期： 2010/05/25
EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
