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EN25P05图片预览
型号: EN25P05
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内容描述: 512 Kbit的统一部门,串行闪存 [512 Kbit Uniform Sector, Serial Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 30 页 / 377 K
品牌: EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
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EN25P05
读数据字节( READ ) ( 03H )
该设备通过驱动芯片选择( CS # )低第一选择。对读数据的指令代码
字节(读)指令之后是3字节地址( A23- A0) ,每个比特被在锁存于
串行时钟( CLK )上升沿。那么内存的内容,在该地址,被移出串行数据
输出( DO ) ,每一位被
移出时,以最大频率f
R
,串行时钟的下降沿时
(CLK) 。
该指令序列示于图9中。第一字节寻址可以在任何位置。该
地址自动递增到下一个更高的地址数据的每一个字节之后被移出。该
整个内存可以,因此,要读一个单一的读数据字节( READ )指令。当
最高地址为止,地址计数器翻转到000000 ,允许读出顺序为
继续下去。
读数据字节( READ )指令是由驱动芯片选择( CS # )高终止。片选
( CS # ) ,可驱动高的数据输出期间的任何时间。任何读取数据字节( READ)的指令,而
擦除,编程或写周期正在进行中,而不必在周期的任何影响被拒绝
进行中。
阅读以更高的速度( FAST_READ ) (值0Bh )数据字节
该设备通过驱动芯片选择( CS # )低第一选择。对读数据的指令代码
字节在较高速度( FAST_READ )指令之后是3字节地址( A23- A0),并插入一个空
字节,每个比特被在串行时钟(CLK )的上升沿锁存式。然后在存储器中的内容,在
该地址被移出串行数据输出( DO ) ,每一位被移出,以最大
频率f
R
,串行时钟( CLK )的下降沿时。
该指令序列示于图10中。第一字节寻址可以在任何位置。该
地址自动递增到下一个更高的地址数据的每一个字节之后被移出。该
整个内存可以,因此,可以以更高的速度读取一个读数据字节( FAST_READ )
指令。当达到最高地址时,地址计数器翻转到000000 ,允许
读序列将无限期持续。
以更高的速度( FAST_READ )指令读取数据字节是由驱动芯片选择终止
( CS # )高。片选信号( CS # ),可驱动高的数据输出期间的任何时间。任何读取数据字节
更高的速度( FAST_READ )指令,而擦除,编程或写周期正在进行中,是
拒绝,而不必在周期过程中的任何影响。
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改,由于改变的技术规格。
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©2004宙硅解决方案公司, www.essi.com.tw
版本B ,发行日期: 2006/12/27