EN25P05
页编程（ PP） （ 02H ）
在页编程（PP）的指令允许字节中的存储器进行编程。之前，它可以
接受，一个写使能（ WREN）指令必须先前已被执行死刑。之后，写使能
（ WREN ）指令被解码时，设备将写使能锁存器（ WEL ） 。
在页编程（PP）的指令通过驱动片选（CS ＃ ）低输入，接着在 -
梁支码， 3字节的地址和在串行数据输入（DI ）中的至少一个数据字节。如果至少8
显著地址位（ A7 - A0 ）是不是所有的零，所有传输的数据超出的结束
当前页面是由同一页的起始地址编程（从它的8个最低地址
显著位（ A7- A0）都为零） 。片选信号（ CS ＃ ）必须被驱动为低电平的整个持续时间
序列。
该指令序列示于图11中。如果多于256个字节被发送到设备，先前
锁存的数据将被丢弃和最后256个数据字节被保证被正确地内编程
同一页面。如果小于256字节的数据被发送到设备，它们被正确地以编程
请求的地址，而无需在同一页上的其他字节的任何影响。
片选（CS ＃ ）必须被驱动为高电平后的最后一个数据字节的第八位被锁存，
否则，不执行页面编程（PP）的指令。
当片选（ CS ＃ ）驱动为高电平，自定时页编程周期（其持续时间为t
PP
）是
发起。当页面编程周期正在进行中，状态寄存器可以读检查的价值
的写在制品（WIP ）位。写在制品（WIP ）位的自定时页中1
程序循环，并且为0时，它被完成。在周期结束前的一些不确定的时候，
写使能锁存器（ WEL ）位复位。
页面编程（ PP ）指令适用于由块保护（ BP1 ， BP0 ）保护的页面
位（见表3.A和表3.B ）不执行。
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
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©2004宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw
版本B ，发行日期： 2006/12/27
EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
