EN25P10
状态寄存器。
状态寄存器包含一些状态和控制位的，可以读取或设置
（如适用）通过具体的指示。
BUSY位。
该位表明该内存是否忙于写状态寄存器，程序或
擦除周期。
WEL位。
写使能锁存器（ WEL）位表示内部写使能锁存状态。
BP1 ， BP0位。
块保护（ BP1 ， BP0 ）位是非易失性的。它们定义了区域的大小是
软件保护，以防止编程和擦除指令。
SRP位。
状态寄存器保护（ SRP ）位一起操作与写保护（ WP ＃ ）
信号。状态寄存器保护（ SRP）位和写保护（ WP ＃ ）信号，允许设备放在
硬件保护模式。在这个模式下，状态寄存器的非易失性位（ SRP ，BP1，BP0 ）
变为只读位。
写保护
使用非易失性存储器中的应用程序必须考虑噪声和其它的可能性
不利的系统条件可能会影响数据的完整性。为了解决这一问题的EN25P10
提供了以下的数据保护机制：
上电复位和一个内部定时器（T
PUW
）可以提供保护，防止意外更改
而在电源运行规范之外。
程序，擦除和写入状态寄存器指令被选中，它们由许多的
时钟脉冲是8的倍数时，它们被接受执行之前。
修改数据的所有指令之前必须有一个写使能（ WREN ）指令集
写使能锁存器（ WEL ）位。该位是由下列事件返回到它的复位状态：
•电
- 写禁止（ WRDI ）指令完成或写状态寄存器（ WRSR ）指令
完成或页面编程（ PP ）指令完成或扇区擦除指令（SE）
完成或批量擦除（ BE ）指令完成或
块保护（ BP1 ， BP0 ）位可以让内存的一部分配置为只读。这是
软件保护模式（ SPM ） 。
写保护（ WP ＃ ）信号，使数据块保护（ BP1 ， BP0 ）位和状态寄存器保护
（SRP）位受到保护。这是硬件保护模式（ HPM ） 。
除了低功耗的特征，深度掉电模式提供额外的软件
防止意外写操作，编程和擦除指令，所有指令都将被忽略
除了一个特定的指令（从深度掉电指令的发布） 。
表3.受保护的区域大小部门组织
内存内容
BP1
位
1
1
0
0
BP0
位
1
0
1
0
保护部门
全部（扇区0 〜3 ）
扇区2-3
3部门
无
地址
000000h-01FFFFh
010000h-01FFFFh
018000h-01FFFFh
无
密度（ KB）
128KB
64KB
32KB
无
一部分
所有行业
上部1/2
上部1/4
无
锁定功能
的保持（HOLD ）信号用于暂停与该设备的任何串行通信，而不复位
时钟序列。但是，采取这种低信号不会终止任何写状态寄存器，
编程或擦除周期正在进行中。
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
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©2004宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw
版本C ，发行日期： 2007年5月4日
EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
