EN25P10
进入保持状态，设备必须选择，带片选（ CS ＃ ）低。保持状态
开始就保持（HOLD）信号的下降沿，其前提是这与串行时钟（CLK ）一致
为Low （如示于图4 ） 。
在保持（HOLD ）信号的上升沿保持状态结束后，只要该恰逢
串行时钟（ CLK ）为低。
如果下降沿不与串行时钟（CLK ）为低一致时，保持条件后开始
串行时钟（ CLK ）下一个变低。类似地，如果上升沿不与串行时钟（CLK ）重合
是低，保持状态结束串行时钟（ CLK ）后，下一个变低。 （这被示于图4 ） 。
在保持状态下，串行数据输出（ DO ）是高阻抗，以及串行数据输入（ DI ）和
串行时钟（ CLK ）的不在乎。
通常情况下，器件将保持选中，带片选（ CS ＃ ）驱动为低电平，为的整个持续时间
保持状态。这是为了确保内部逻辑的状态保持的那一刻起不变
进入保持状态。
如果片选（CS ＃ ）变高，而该设备在保持条件，这具有复位的效果
该设备的内部逻辑。重新启动与该设备的通信，有必要以驱动保持（HOLD）
高，然后驱动芯片选择（ CS ＃ ）低。这样可以防止设备进入返回保持
条件。
图4.保持状态的波形
说明
所有指令，地址和数据移入和移出器件，最显著位第一。串行
数据输入（ DI ）进行采样，在串行时钟（ CLK ）的片选信号（ CS ＃ ）被驱动后的第一个上升沿
低。然后，将1字节的指令代码必须被移位到该设备，最显著位第一，上
串行数据输入（DI），每个位被锁存串行时钟（CLK ）的上升沿。
该指令集被列于表4中的每个指令序列开始的一个字节的指令代码。
根据不同的指令，这随后可能是地址字节，或由数据字节，或由两者或
没有。片选（CS ＃ ）必须被驱动为高电平后的指令序列的最后一位被移位
英寸在读数据字节的情况下（READ ） ，读数据字节以更高的速度（ FAST_READ ） ，读
状态寄存器（ RDSR）或者从深度掉电释放，读取设备ID （ RDI ）指令，
移式指令序列之后是一个数据输出序列。片选信号（ CS ＃ ），可驱动高
后的数据输出序列中的任何位被移出。
在一个页面编程（ PP ） ，扇区擦除（ SE ） ，批量擦除（ BE ）的情况下，写状态寄存器（ WRSR ）
写使能（ WREN ） ，写禁止（ WRDI ）或深度掉电（ DP ）的指令，片选（ CS ＃ ）
必须驱动的高准确地在一个字节边界，否则该指令被拒绝，并且不被执行。
也就是说，片选（ CS ＃ ）必须驱动为高电平时，时钟脉冲的片选信号（CS ＃ ）后的数字
驱动为低电平是8的整数倍。
所有试图在写状态寄存器周期，项目周期或擦除访问的存储阵列
周期被忽略，内部写状态寄存器周期，项目周期或擦除周期继续
不受影响。
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
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©2004宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw
版本C ，发行日期： 2007年5月4日
EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
