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型号: EN25S40
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内容描述: 4兆位1.8V串行闪存与4K字节扇区制服 [4 Megabit 1.8V Serial Flash Memory with 4Kbyte Uniform Sector]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 37 页 / 590 K
品牌: EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
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EN25S40
操作特性
标准SPI模式
该EN25S40通过一个SPI兼容总线组成的四个信号访问:串行时钟( CLK ) ,
片选信号( CS # ) ,串行数据输入( DI )和串行数据输出( DO ) 。两个SPI总线操作模式0
(0,0)和3 (1,1)被支持。模式0和模式3之间的主要区别,如图
图3 ,关注CLK信号的正常状态时, SPI总线主机在待机和数据
没有被传输到所述串行闪存。为模式0 CLK信号通常是低的。模式3的
CLK信号是常高。在这两种情况下,数据输入的DI引脚被采样的上升沿
CLK 。在DO引脚的数据输出同步输出CLK的下降沿。
图3. SPI模式
双SPI指令
使用“双输出快速阅读和双我当EN25S40支持双通道SPI操作/ O
FAST_READ “ ( 3 BH和BBH )的说明。这些指令允许数据被转移到或从
所述串行闪存存储器在与标准SPI的两到三倍的速率成为可能。双读
指令是非常适合在上电时(代码阴影)快速下载代码从Flash到RAM
或应用程序缓存的代码段到RAM中执行。双输出功能简单
允许SPI输入引脚也可作为该指令执行期间的输出。当使用双通道SPI
指令DI和DO引脚变为双向I / O引脚; DQ
0
和DQ
1
。所有其他操作使用
标准SPI接口与单个输出信号。
网页编程
以编程一个数据字节时,两条指令必须:写使能(WREN ),这是一个字节,并且
一个页编程(PP)的序列,它由4个字节加上数据。这之后是在内部
项目周期的持续时间T (
PP
).
传播这个开销,页编程(PP)的指令允许多达256个字节进行编程
在一个时间(从1到0变化的比特) ,只要它们存在于连续的地址在同一页上
的存储器。
扇区擦除,块擦除和芯片擦除
在页编程(PP)的指令允许位被从1重置为0。在此之前可以应用,则
内存字节需要被擦除为全1 ( FFH ) 。这可以在同一时间内达到一个扇区
使用扇区擦除( SE )指令,在一个时间块用块擦除( BE )指令或
在整个内存,使用芯片擦除( CE )指令。这将启动一个内部擦除周期
(中持续时间T
SE
t
BE
或T
CE
) 。 ERASE指令前必须有一个写使能( WREN )
指令。
投票在写,编程或擦除周期
在写状态寄存器( WRSR ) ,计划( PP)或擦除时间的进一步改进( SE , BE或
CE)可以通过不等待最坏情况下的延迟(T实现
W
, t
PP
, t
SE
, t
BE
或T
CE
) 。写在
制品(WIP )位设置在状态寄存器,以使应用程序可以监视其
值,轮询它建立在以前的写周期,项目周期或擦除周期完成。
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改,由于改变的技术规格。
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©2004宙硅解决方案公司,
www.eonssi.com
A版,发行日期: 2009/04/28