EN25S40
有源电力，待机功耗和深度掉电模式
当片选（ CS ＃ ）为低电平时，器件处于启用状态，在有源模式。当片
选（CS ＃ ）为高电平时，设备被禁用，但可以留在有源模式下，直到所有的内部
周期已经完成了（编程，擦除，写状态寄存器） 。然后将设备进入待机动
按功率模式。该器件消耗下降至我
CC1
.
深度掉电模式时输入特定的指令（在进入深度掉电
模式（DP）的指令）被执行。该器件消耗进一步下降到我
CC2
。该器件遗体
在这种模式下，直到从深度掉电模式和读取另一个特定的指令（发行
装置ID（ RDI）指令）被执行。
所有其它指令被忽略，而该设备在深度掉电模式。这可以用于
作为一个额外的软件的保护机构，当该装置处于非活动状态的使用，以保护设备
防止意外写，编程或擦除指令。
状态寄存器。
状态寄存器包含一个数状态和控制位的，可以读出或
设置（如适用）通过具体的指示。
WIP位。
写在制品（WIP ）位表明内存是否忙于写状态
注册，编程或擦除周期。
WEL位。
写使能锁存器（ WEL）位表示内部写使能锁存状态。
BP2 ， BP1 ， BP0位。
块保护（ BP2 ， BP1 ， BP0 ）位是非易失性的。它们定义的大小
该地区是软件的保护，以防止编程和擦除指令。上电后， BP2 ， BP1
和BP0设置为默认值1 ，保护完整的内存。
SRP位/ OTP_LOCK位
状态寄存器保护（ SRP ）位操作与写相结合
保护（WP ＃ ）信号。状态寄存器保护（ SRP）位和写保护（ WP ＃ ）信号，使
设备被放置在硬件保护模式。在这种模式中，非挥发性的状态的位
注册（ SRP ， BP2 ， BP1 ， BP0 ）变为只读位。
在OTP模式，该位作为OTP_LOCK位，用户可以读取/编程/擦除OTP部门正常
扇区，而OTP_LOCK值等于0时，之后OTP_LOCK位由WRSR编程1
命令，对OTP扇区被保护程序和擦除操作。该OTP_LOCK位只能
一次编程。
注意：
在OTP模式下， WRSR命令将忽略任何输入数据和程序OTP_LOCK位为1 ，
用户必须清除保护位进入OTP模式之前并编程OTP代码，然后执行
WRSR命令，临行前OTP模式锁定OTP部门。
写保护
使用非易失性存储器中的应用程序必须考虑噪声和其它的可能性
不利的系统条件可能会影响数据的完整性。为了解决这一问题的EN25S40
提供了以下的数据保护机制：
上电复位和一个内部定时器（ tPUW ）可以提供保护，防止意外更改
而在电源运行规范之外。
程序，擦除和写入状态寄存器指令被选中，它们由多个
时钟脉冲是八的倍数，它们被接受执行之前。
修改数据的所有指令之前必须有一个写使能（ WREN）指令集
写使能锁存器（ WEL ）位。该位是由下列事件返回到它的复位状态：
•电
- 写禁止（ WRDI ）指令完成或写状态寄存器（ WRSR ）指令
完成或页面编程（ PP ）指令完成或扇区擦除指令（SE）
完成或块擦除（ BE ）指令完成或芯片擦除（ CE ）指令
竣工
块保护（ BP2 ， BP1 ， BP0 ）位可以让内存的一部分配置为只读。
这是保护模式（ SPM ）软件。
写保护（ WP ＃ ）信号，使数据块保护（ BP2 ， BP1 ， BP0 ）位和状态寄存器
保护（ SRP）位进行保护。这是硬件保护模式（ HPM ） 。
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
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©2004宙硅解决方案公司，
www.eonssi.com
A版，发行日期： 2009/04/28
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