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EN29F010-45SCP 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EN29F010-45SCP
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内容描述: 1兆位( 128K ×8位), 5V闪存 [1 Megabit (128K x 8-bit) 5V Flash Memory]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 35 页 / 428 K
品牌: EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
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EN29F010
表5. EN29F010命令定义
命令
顺序
读/复位
RESET
读/复位
自选
制造商ID
自动选择设备ID
自动选择行业
保护验证
字节编程
芯片擦除
扇区擦除
扇区擦除暂停
扇区擦除简历
注意事项:
周期
职位月薪
1
ADDR
st
写周期
数据
2
ADDR
nd
3
ADDR
rd
4
ADDR
th
5
ADDR
th
6
ADDR
th
写周期
数据
写周期
数据
写周期
数据
写周期
数据
写周期
数据
1
1
4
4
4
4
4
6
6
1
1
RA
RD
XXXH F0H
555H AAH
555h
555h
555h
555h
555h
555h
XXXh
XXXh
AAH
AAH
AAH
AAH
AAH
AAH
B0h
30h
2AAh
2AAh
2AAh
2AAh
2AAh
2AAh
2AAh
55h
55h
55h
55h
55h
55h
55h
555h
555h
555h
555h
555h
555h
555h
F0h
90h
90h
90h
A0h
80h
80h
RA
000h/
100h
01h
BA &
02h
PA
555h
555h
RD
7Fh/
1Ch
20h
00h/
01h
PD
AAh时2AAh 55H
AAh时2AAh 55H
555h
BA
10h
30h
RA =读地址:内存位置的地址进行读取。
这个人是一个读周期。
RD =读取数据:读取操作过程中,从位置RA读取数据。
这个人是一个读周期。
PA =程序地址:内存位置的地址进行编程
PD =程序数据:数据在位置PA编程
BA =扇区地址:该部门的地址被删除。地址位A16 - A14唯一选择任何行业。
该数据为00h的未受保护的部门和01H为保护部门。
字节编程命令
编程EN29F010的是,逐字节使用四总线周期操作的基础上执行
(其次是程序设置命令和程序数据写入周期两个解锁写周期) 。
当执行该程序命令时,没有额外的CPU控制或定时是必要的。一
内部定时器自动终止程序运行。地址被锁存,下降沿
of
CE
or
宽E
,取其最后;数据被锁存的上升沿
CE
or
宽E
,以先到为准。
程序操作完成时EN29F010返回相等的数据到
编程的位置。
编程状态可以通过采样数据DQ7检查(
数据
轮询)或DQ6 (切换
位)。从0到1变化的数据,需要进行擦除操作。当编程时间限制为
超过, DQ5将产生一个逻辑“1”和一个复位命令可以返回设备读取
模式。
芯片擦除命令
芯片擦除是六总线周期的操作。该芯片擦除命令序列被写两个启动
解锁循环,接着一个建立命令。两个额外的解锁写周期,然后接着是
芯片擦除命令,从而调用嵌入式擦除算法。该设备不
要求
在擦除之前的系统进行预编程。嵌入式擦除算法自动preprograms和
验证整个存储器用于现有电擦除所有零数据模式。不需要在系统
要在这些操作提供任何控制或定时。该命令定义表显示
地址和数据要求对于芯片擦除命令序列。
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改,由于改变的技术规格。
8
© 2003宙硅解决方案公司, www.essi.com.tw
A版,发行日期:二〇〇三年十月二十零日