EN29F040A
在字节编程，如果被写入该部门是受保护的， DQ6将切换为约2
µs,
然后
停止切换而无需在扇区中的数据已经改变。在扇区擦除或芯片擦除，如果所有的
选定行业的保护， DQ6将发生翻转约100
µs.
该芯片将返回到读
模式没有在所有受保护的领域不断变化的数据。
无论是切换
CE
or
OE
会引起DQ6切换。
为触发位（ DQ6 ）的流程图如图6流程图翻转位时序图
在图9所示
.
DQ5超出时间限制
DQ5表示编程或擦除时间是否已超过规定的内部脉冲计数极限。
在这些条件下DQ5产生一个“1” （
切换位（ DQ6 ）也应该在这个检查
时间，以确保该DQ5不是“1”，由于具有返回的设备来读取模式）。
这是
一个失败的情况，表示该程序或擦除周期没有成功完成。
.
数据
轮询（ DQ7 ） ，触发位（ DQ6 ）和擦除翻转位（ DQ2 ）仍然在此条件下正常工作。
设置
CE
到V
IH
将部分断电的那些条件下的设备。
如果系统尝试编程一个“1”的位置是先前的DQ5失效的条件下，可能会出现
编程为“0”。
只有擦除操作可改变为“0”回到“ 1”。
在这种条件下，该
设备停止操作，并且当操作已经超过了时间限制， DQ5产生一个“1”。
这两种情况下，系统必须发出复位命令将设备返回到阅读
阵列的数据。
DQ2切换擦除第二位
上DQ2的“翻转位” ，与DQ6使用时，表示一个特定的扇区是否被积极地擦除
（也就是说，嵌入式擦除算法正在进行中） ，还是该部门是擦除暂停。切换
第二位是后最终WE＃脉冲的命令序列的上升沿有效。 DQ2切换时
系统在读取已选择擦除这些部门中的地址。 （该系统可
请使用OE ＃或CE ＃控制读取周期）。但是DQ2不能区分该行业是否
积极擦除或擦除暂停。 DQ6 ，通过比较，表明该设备当前是否正在
擦除，或者在擦除挂起，但不能区分哪个部门都选择删除。因此，既
状态位所需的扇区和模式信息。请参考表6比较了DQ2和输出
DQ6.
流程图6所示为触发位算法，以及部分“ DQ2 ：触发位”解释的算法。看
也是“ DQ6 ：切换位I”款。请参阅触发位时序图的触发位时序
图。在DQ2与DQ6图显示图形的形式DQ2和DQ6之间的差异。
阅读切换位DQ6 / DQ2
参见流程图6下面的讨论。每当系统最初开始读触发位
状态，它必须至少两次读取DQ7 - DQ0在一排，以确定是否切换位切换。
典型地，一个系统将注意到和第一读之后切换位的值存储。之后的第二
读出时，系统将与所述第一切换位的新值进行比较。如果触发位不
来回切换，该设备已完成编程或擦除操作。该系统可以读取阵列数据
在下面的读周期DQ7 - DQ0 。
然而，如果在最初的两个读周期中，系统确定该切换位仍然切换，所述
系统还应该注意DQ5的值是否为高电平（参见上DQ5的部分）。如果是，则系统
这时应再确定是否触发位被触发，由于触发位可能已停止
切换就像DQ5去高。如果触发位不再切换，该设备已成功
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
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© 2003宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw
版本B ，发行日期： 2004/04/01
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