EN29F040A
嵌入式擦除算法期间写入芯片的任何命令都会被忽略。
该系统可以通过使用DQ7 ， DQ6 ，或DQ2确定擦除操作的状态。请参阅“写
操作状态“，了解有关这些状态位的信息。当嵌入式擦除算法完成，
该设备返回到读取阵列数据和地址都不再锁定。
流程图图4示出该算法来执行擦除操作。请参阅擦除/编程操作表
“AC特性”参数，芯片/扇区擦除操作时序的时序波形。
扇区擦除命令
扇区擦除是六总线周期的操作。扇区擦除命令序列被写两个启动
未锁定的周期，接着一个建立命令。两个额外的解锁写周期，然后接着是
该扇区的地址被擦除，扇区擦除命令。该命令定义表
示出了用于扇区擦除命令序列中的地址和数据要求。
该设备不
不
要求系统进行预编程来擦除之前的存储器。嵌入式擦除
算法自动程序，并验证该扇区为全零数据模式之前，电
抹去。该系统不需要在这些操作期间提供任何控制或定时。
此设备不支持多扇区擦除命令。扇区擦除操作
立即开始的第一个30h的命令写入后。必须在第一个扇区擦除操作
另一个扇区擦除命令之前完成，可以给予。
一旦该扇区擦除操作已经开始，只有擦除挂起命令是有效的。所有其他
命令将被忽略。
当嵌入式擦除算法完成，设备返回到读取阵列数据和地址
不再锁定。该系统可以通过使用DQ7 ， DQ6确定擦除操作的状态，或
DQ2 。请参阅“写操作状态”，了解有关这些状态位的信息。流程图图4示出了
算法的擦除操作。请参阅擦除/编程操作表中的“AC
特性“部分参数，并为定时扇区擦除操作时序图
波形。
擦除挂起/恢复命令
擦除挂起命令允许系统中断扇区擦除操作，然后读取数据
由，或程序数据，没有被选择为擦除的任何扇区。该命令只有在有效
扇区擦除操作。如果芯片擦除操作期间写入擦除挂起命令被忽略
或嵌入式程序算法。地址是“无关位”书写时擦除挂起命令。
当擦除挂起命令是一个扇区擦除操作期间写入，该设备需要
最大的20微秒暂停擦除操作。
后擦除操作已被暂停时，系统可以读取来自阵列数据或程序数据，以
未选择擦除任何部门。 （该设备“擦除挂起”入选擦除所有部门。 ）
正常的读写时序和指令定义。在使用擦除阅读在任何地址
暂停生产部门对DQ7 - DQ0状态数据。该系统可以使用DQ7或DQ6和DQ2
在一起，以确定是否一个部门积极擦除或擦除暂停。见“写操作状态”
有关这些状态位的信息。
后一个擦除暂停程序操作完成时，系统可以再次读取数组数据
内非悬挂扇区。该系统可以使用该确定的程序操作的状态
DQ7或DQ6状态位，正如在标准程序操作。见“写操作状态”的详细
信息。
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
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© 2003宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw
版本B ，发行日期： 2004/04/01
EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
