EN29F040A
表3.操作模式
4M FLASH USER MODE表
用户模式
待机
读
输出禁用
读
制造ID
读取设备ID
VERIFY行业
保护
扇形
保护
VERIFY行业
解除保护
扇形
解除保护
写
CE
H
L
L
L
L
L
L
L
脉冲
L
L
WE
X
H
H
H
H
H
脉冲
L
H
VID
L
OE
X
L
H
L
L
L
VID
L
VID
H
A9
X
A9
X
VID
VID
VID
VID
VID
L
A9
A8
X
A8
X
L / H
L / H
X
X
X
X
A8
A6
X
A6
X
L
L
L
L
H
X
A6
A5
X
A5
X
X
X
X
X
X
H
A5
A1
X
A1
X
L
L
H
X
H
X
A1
A0
X
A0
X
L
H
L
X
L
X
A0
AX /年
X
AX /年
X
X
X
X
X
X
X
AX /年
DQ(0-7)
高阻
DQ （ 0-7 ）
高阻
制造
ID
器件ID （T / B ）
CODE
X
CODE
X
DIN （0-7）
注意事项：
1 ） L = V
IL
，H = V
IH
, V
ID
= 11.0V
±
0.5V
2 ） X =无关，无论是V
IH
或V
IL
3 ） AX / Y：组Ax =地址（X ） ，AY =地址（ Y）
表4.辨识的装置
4M闪存制造商/设备ID表
A8
读
制造商ID
读
器件ID
H
H
(1)
A6
L
L
A1
L
L
A0
L
H
(2)
DQ(7-0)
（十六进制）
制造商ID
1C
器件ID
04
注意事项：
1 ）如果制造ID读取与A8 = L时，芯片将输出配置代码7Fh的。进一步
制造ID必须被读取以8 = H。
2 ）如果一个设备ID被读取A8 = L时，芯片将输出配置代码7Fh的。进一步的设备ID
必须读出与A 8 = H。
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
5
© 2003宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw
版本B ，发行日期： 2004/04/01
EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
