EN29F040A
USER MODE定义
待机模式
该EN29F040A具有CMOS兼容的待机模式，从而降低了电流
＆ LT ;
1µA
（典型值） 。这是摆在CMOS兼容的待机时
CE
引脚为V
CC
±
0.5 。该装置
也有一个TTL兼容的待机模式，从而降低了最大V
CC
到< 1毫安电流。这是
摆在TTL兼容的待机时
CE
引脚为V
IH
。当在待机模式下，输出
处于高阻抗状态的独立的
OE
输入。
读取模式
该装置会自动设置为设备后，开机读取阵列数据。没有命令
检索数据所需的。该器件还准备在完成嵌入式后读取阵列数据
程序或嵌入式擦除算法。
之后，该设备接受一个擦除挂起命令时，器件进入擦除挂起模式。
该系统可以使用标准的读出定时，读出数组数据不同之处在于，即使读取时的地址
擦除悬浮部门内，设备输出状态数据。完成编程后
操作中的擦除挂起模式中，系统可以再次读取相同的数据数组
异常。请参阅“擦除暂停/删除恢复命令”这一模式的更多信息。
该系统必须发出复位命令来重新启用该设备用于读取数组数据，如果DQ5
变为高电平时，或当在自动选择模式。请参阅“复位命令”一节。
另请参阅“设备总线的运行”一节中更多的“为读阵列数据要求”
信息。在读操作表提供所读取的参数，和读操作时序
图中给出了时序图。
输出禁止模式
当
OE
销是在逻辑高电平（V
IH
） ，从EN29F040A输出被禁止。该
输出引脚被置于高阻抗状态。
自动选择识别模式
自选模式提供了制造商和设备标识和部门保护
验证通过DQ7 - DQ0识别码输出。这种模式的主要目的是
编程设备来自动匹配的装置，以与其对应的编程
规划算法。然而，在自动选择的代码，也可以在系统通过访问
命令寄存器。
当使用编程设备中，自动选择模式，需要V
ID
（ 10.5 V至11.5 V）上
地址引脚A9 。地址引脚A6 ， A1和A0必须在自选代码所示（高压
法）表。此外，检验部门的保护时，该部门的地址必须出现在
适当的最高地址位。参考相应的扇区地址表。该
命令定义表显示剩余地址位是不在乎。当所有
必要的位已经被设置为所需的，则编程设备可接着读取
相应的识别代码DQ7 - DQ0 。
要访问系统的自动选择编码;主机系统可以通过发出自动选择命令
命令寄存器，如图所示的命令定义表中。此方法不需要
V
ID
。请参阅“命令定义”使用自动选择模式的详细信息。
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
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© 2003宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw
版本B ，发行日期： 2004/04/01
EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
