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    EN29LV320B-70TC 参数 Datasheet PDF下载

    EN29LV320B-70TC图片预览
    型号： EN29LV320B-70TC
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 32兆位（ 4096K ×8位/ 2048K ×16位）闪存引导扇区快闪记忆体， CMOS 3.0伏只 [32 Megabit (4096K x 8-bit / 2048K x 16-bit) Flash Memory Boot Sector Flash Memory, CMOS 3.0 Volt-only]
    分类和应用： 闪存存储内存集成电路光电二极管
    文件页数/大小： 49 页 / 420 K
    品牌： EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
     浏览型号EN29LV320B-70TC的Datasheet PDF文件第6页浏览型号EN29LV320B-70TC的Datasheet PDF文件第7页浏览型号EN29LV320B-70TC的Datasheet PDF文件第8页浏览型号EN29LV320B-70TC的Datasheet PDF文件第9页浏览型号EN29LV320B-70TC的Datasheet PDF文件第11页浏览型号EN29LV320B-70TC的Datasheet PDF文件第12页浏览型号EN29LV320B-70TC的Datasheet PDF文件第13页浏览型号EN29LV320B-70TC的Datasheet PDF文件第14页  
    EN29LV320
    表3.操作模式
    32M FLASH USER MODE表
    DQ8-DQ15
    BYTE ＃
    BYTE ＃
    = V
    IH
    = V
    IL
    D
    OUT
    DQ8-
    DQ14=
    D
    IN
    高-Z ，
    DQ15 =
    D
    IN
    A
    -1
    B
    B
    B
    B
    B
    B
    B
    B
    B
    B
    手术
    读
    写
    加速
    节目
    CMOS待机
    TTL待机
    输出禁用
    硬件复位
    业（集团）
    保护
    CE＃
    L
    L
    L
    V
    cc
    ±
    0.3V
    H
    L
    X
    B
    B
    OE ＃
    L
    H
    H
    X
    X
    H
    X
    H
    WE＃
    H
    L
    L
    X
    X
    H
    X
    L
    RESET
    #
    H
    H
    H
    V
    cc
    0.3V
    H
    H
    L
    B
    B
    WP ＃ / AC
    C
    L / H
    （注1 ）
    V
    HH
    B
    A0-
    A20
    A
    IN
    A
    IN
    B
    B
    B
    B
    DQ0-
    DQ7
    D
    OUT
    D
    IN
    B
    B
    B
    B
    A
    IN
    B
    B
    D
    IN
    B
    B
    ±
    H
    H
    L / H
    L / H
    L / H
    X
    X
    X
    X
    SA ，
    A6=L,
    A1=H,
    A0=L
    SA ，
    A6=H,
    A1=H,
    A0=L
    A
    IN
    B
    B
    高-Z
    高-Z
    高-Z
    高-Z
    （注2 ）
    高-Z
    高-Z
    高-Z
    高-Z
    X
    高-Z
    高-Z
    高-Z
    高-Z
    X
    L
    V
    ID
    B
    B
    扇形
    撤消
    临时
    扇形
    撤消
    B
    B
    L
    H
    L
    V
    ID
    B
    B
    （注1 ）
    （注2 ）
    X
    X
    X
    X
    X
    V
    ID
    B
    B
    （注1 ）
    （注2 ）
    （注2 ）
    高-Z
    L =逻辑低= V
    IL
    ，H =逻辑高电平= V
    IH
    , V
    ID
    =V
    HH
    =11
    ±
    0.5V = 10.5-11.5V ， X =无所谓（ L或H，但不浮）
    SA =扇区地址，D
    IN
    =数据，D
    OUT
    =数据输出，A
    IN
    =地址
    B
    B
    B
    B
    B
    B
    B
    B
    B
    B
    B
    注意事项：
    1.如果WP ＃ / ACC =
    V
    IL
    ，最外边的两个引导区受到保护。如果WP ＃ / ACC =
    V
    IH
    ，最外面的引导扇区
    保护取决于他们是否是最后一个受保护或不受保护的。如果WP ＃ / ACC =
    V
    HH
    ，所有部门将
    不受保护的。
    B
    B
    B
    B
    B
    B
    2.请参考“部门/部门组保护& unprotection的芯片” ，流程图7a和7b的流程图。
    该数据表可以通过后续的版本中修改
    或修改，由于改变的技术规格。
    10
    ©2004宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw
    修订版E，发表日期： 2006年5月16日

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