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EN29LV320B-70TC 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EN29LV320B-70TC
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内容描述: 32兆位( 4096K ×8位/ 2048K ×16位)闪存引导扇区快闪记忆体, CMOS 3.0伏只 [32 Megabit (4096K x 8-bit / 2048K x 16-bit) Flash Memory Boot Sector Flash Memory, CMOS 3.0 Volt-only]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 49 页 / 420 K
品牌: EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
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EN29LV320
表4.自动选择代码(使用高电压,V
ID
)
B
B
32M闪存制造商/设备ID表
A20
to
A12
X
A11
to
A10
X
A5
to
A2
X
DQ8
to
DQ15
X
7Fh
X
X
L
L
X
X
L
L
H
H
22h
X
22h
X
X
L
L
H
SA
X
V
ID
B
B
描述
CE#
OE #
WE#
A9
P
2
P
A8
H
P
A7
A6
A1
A0
DQ7到DQ0
1Ch
1
P
制造商ID :
器件ID
(上启动
部门)
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
H
H
H
H
V
ID
B
B
X
L
L
L
L
字节
字节
X
X
X
X
V
ID
B
B
X
X
F6h
F6h
F9h
F9h
01h
(被保护)
器件ID
(底部引导
部门)
V
ID
B
B
扇区保护
验证
X
X
L
X
H
L
X
00h
(无保护)
L =逻辑低= V
IL
,H =逻辑高电平= V
IH
, V
ID
=11
±
0.5V , X =无所谓( L或H,但不浮! ) , SA =部门
地址
B
B
B
B
B
B
注意:
1. A8 = H ,建议生产检查身份证。如果一个制造ID的读取使用A8 = L时,该芯片将输出一个
配置代码7Fh的。
2. A9 = V
ID
仅用于HV A9自选模式。 A9必须
工作电压( CMOS逻辑电平)的命令自动选择模式。
B
B
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改,由于改变的技术规格。
11
©2004宙硅解决方案公司, www.essi.com.tw
修订版E,发表日期: 2006年5月16日