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    EN29LV800B 参数 Datasheet PDF下载

    EN29LV800B图片预览
    型号： EN29LV800B
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 8兆位（ 1024K ×8位/ 512K ×16位）闪存引导扇区快闪记忆体， CMOS 3.0伏只 [8 Megabit (1024K x 8-bit / 512K x 16-bit) Flash Memory Boot Sector Flash Memory, CMOS 3.0 Volt-only]
    分类和应用： 闪存
    文件页数/大小： 41 页 / 346 K
    品牌： EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
     浏览型号EN29LV800B的Datasheet PDF文件第1页浏览型号EN29LV800B的Datasheet PDF文件第2页浏览型号EN29LV800B的Datasheet PDF文件第3页浏览型号EN29LV800B的Datasheet PDF文件第4页浏览型号EN29LV800B的Datasheet PDF文件第6页浏览型号EN29LV800B的Datasheet PDF文件第7页浏览型号EN29LV800B的Datasheet PDF文件第8页浏览型号EN29LV800B的Datasheet PDF文件第9页  
    EN29LV800B
    表2B 。底部引导块，扇区架构
    地址范围
    扇形
    (X16)
    18
    17
    16
    15
    14
    13
    12
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    10
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    1
    0
    78000h-7FFFFh
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    60000h-67FFFh
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    50000h-57FFFh
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    20000h-27FFFh
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    02000h-02FFFh
    00000h-01FFFh
    扇形
    SIZE
    （千字节/
    K字）
    64/32
    64/32
    64/32
    64/32
    64/32
    64/32
    64/32
    64/32
    64/32
    64/32
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    64/32
    64/32
    64/32
    64/32
    32/16
    8/4
    8/4
    16/8
    A18
    A17
    A16
    A15
    A14
    A13
    A12
    (X8)
    F0000H - FFFFFH
    E0000H - EFFFFH
    D0000H - DFFFFH
    C0000H - CFFFFH
    B0000h - BFFFFh
    A0000h - AFFFFh
    90000H - 9FFFFH
    80000H - 8FFFFH
    70000h -7FFFFh
    60000H 〜 6FFFFh
    50000H 〜 5FFFFh
    40000H 〜 4FFFFh
    30000H 〜 3FFFFH
    20000H 〜 2FFFFh
    10000H 〜 1FFFFH
    08000H - 0FFFFH
    06000H - 07FFFH
    04000H - 05FFFH
    00000H - 03FFFh
    1
    1
    1
    1
    1
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    1
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    X
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    1
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    X
    X
    X
    X
    X
    1
    0
    X
    该数据表可以通过后续的版本中修改
    或修改，由于改变的技术规格。
    5
    ©2004宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw
    修订版G，发行日期： 2006年5月16日

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